NCE20P45Q 产品实物图片
NCE20P45Q 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE20P45Q

商品编码: BM0212456855
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
DFN-8(3.3x3.3)
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 80W 19V 45A 1个P沟道 DFN-8(3.3x3.3)
库存 :
19048(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.74
按整 :
卷(1卷有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.74
--
100+
¥0.738
--
1250+
¥0.735
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE20P45Q参数

功率(Pd)80W反向传输电容(Crss@Vds)445pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7mΩ@4.5V,20A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)55nC@10V
漏源电压(Vdss)19V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)3.5nF@10V连续漏极电流(Id)45A
阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA

NCE20P45Q手册

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NCE20P45Q概述

NCE20P45Q 产品概述

概述

NCE20P45Q是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),由新洁能(NCE)公司生产,专为需要高功率和高电流应用而设计。它的额定功率为80W,工作电压范围为19V,最大持续电流可达45A,清晰地显示出其在高负载条件下的优越性能。NCE20P45Q的封装采用DFN-8(3.3x3.3mm),具备紧凑的尺寸和出色的散热性能,非常适合高密度电路板(PCB)设计。

关键特性

  1. 强大的电流承载能力: NCE20P45Q能够持续承载高达45A的电流,这使得它在许多高功率应用中表现卓越,包括电源轨、驱动电路、电机控制或者其他需要高电流的场景。

  2. 较高的功率损耗能力: 该器件的最大功率规格为80W,意味着它能够在相对较高的功率条件下稳定工作,降低了额外的热管理需求。

  3. 宽电压范围: 工作电压高达19V,适用范围广泛,能够满足不同电源需求,提高了电路设计的灵活性。

  4. 低栅极电阻: 该MOSFET的低栅极电阻特性能够有效降低驱动损耗,提高开关效率,尤其在高速开关应用中表现出色。

  5. 优良的散热性能: DFN-8(3.3x3.3mm)封装不仅体积小,而且具有良好的导热性,使得器件在高功率工作状态下能够有效散热,提升其寿命和可靠性。

  6. 高可靠性: 作为一款半导体产品,NCE20P45Q经过严格的电性测试,具备良好的耐压特性和热稳定性,能够承受严苛的工作环境。

应用领域

NCE20P45Q适用于广泛的应用场合,包括:

  • 电源管理: 作为电源转换器、DC-DC转换器中的开关元件,有效地提升能效并降低能耗。

  • 电动机驱动: 适用于电动机的控制电路,如步进电机和直流电机,为其提供稳定可靠的电力支持。

  • LED驱动: 可用于LED灯具的驱动,确保其工作稳定,并提供足够的电流以满足高亮度需求。

  • 消费电子: 在手机、平板电脑等消费电子产品中,优化电源分配,延长电池续航时间。

性能参数

  • 最大额定电压(Vds):19V
  • 最大额定电流(Id):45A
  • 功率耗散(Pd):80W
  • 封装类型:DFN-8(3.3x3.3mm)

总结

NCE20P45Q作为一款高效、可靠的P沟道MOSFET,在高功率和高电流应用中展现了其卓越的性能,其紧凑的DFN-8封装设计不仅大大节省了空间,也为工程师在电路设计时提供了灵活性。凭借耐用的材料和优越的散热特性,NCE20P45Q能够满足现代电子设备对功率管理的严苛要求,是各种电源和驱动应用的理想选择。对于追求性能与效率的工程师,NCE20P45Q无疑是值得信赖的电子元器件。