功率(Pd) | 80W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 445pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@4.5V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 55nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 19V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.5nF@10V | 连续漏极电流(Id) | 45A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
NCE20P45Q是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),由新洁能(NCE)公司生产,专为需要高功率和高电流应用而设计。它的额定功率为80W,工作电压范围为19V,最大持续电流可达45A,清晰地显示出其在高负载条件下的优越性能。NCE20P45Q的封装采用DFN-8(3.3x3.3mm),具备紧凑的尺寸和出色的散热性能,非常适合高密度电路板(PCB)设计。
强大的电流承载能力: NCE20P45Q能够持续承载高达45A的电流,这使得它在许多高功率应用中表现卓越,包括电源轨、驱动电路、电机控制或者其他需要高电流的场景。
较高的功率损耗能力: 该器件的最大功率规格为80W,意味着它能够在相对较高的功率条件下稳定工作,降低了额外的热管理需求。
宽电压范围: 工作电压高达19V,适用范围广泛,能够满足不同电源需求,提高了电路设计的灵活性。
低栅极电阻: 该MOSFET的低栅极电阻特性能够有效降低驱动损耗,提高开关效率,尤其在高速开关应用中表现出色。
优良的散热性能: DFN-8(3.3x3.3mm)封装不仅体积小,而且具有良好的导热性,使得器件在高功率工作状态下能够有效散热,提升其寿命和可靠性。
高可靠性: 作为一款半导体产品,NCE20P45Q经过严格的电性测试,具备良好的耐压特性和热稳定性,能够承受严苛的工作环境。
NCE20P45Q适用于广泛的应用场合,包括:
电源管理: 作为电源转换器、DC-DC转换器中的开关元件,有效地提升能效并降低能耗。
电动机驱动: 适用于电动机的控制电路,如步进电机和直流电机,为其提供稳定可靠的电力支持。
LED驱动: 可用于LED灯具的驱动,确保其工作稳定,并提供足够的电流以满足高亮度需求。
消费电子: 在手机、平板电脑等消费电子产品中,优化电源分配,延长电池续航时间。
NCE20P45Q作为一款高效、可靠的P沟道MOSFET,在高功率和高电流应用中展现了其卓越的性能,其紧凑的DFN-8封装设计不仅大大节省了空间,也为工程师在电路设计时提供了灵活性。凭借耐用的材料和优越的散热特性,NCE20P45Q能够满足现代电子设备对功率管理的严苛要求,是各种电源和驱动应用的理想选择。对于追求性能与效率的工程师,NCE20P45Q无疑是值得信赖的电子元器件。