功率(Pd) | 4W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 125pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 48nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.98nF@25V | 连续漏极电流(Id) | 40A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
CJAC40N04是一款高效能的N沟道场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商江苏长电(CJ)出品。这款MOSFET特别设计用于高电流和高电压的应用场景,广泛应用于电源管理、开关电路和高效能电源转换等领域。其小巧的PDFNWB-8L-EP(5x6mm)封装使得它在需要高密度布板的设计中表现出色。
CJAC40N04 MOSFET的设计特性使其在电子设备中能够高效运行。以下是该产品的一些主要特性:
CJAC40N04的高性能特性使其能够广泛应用于多个领域,包括但不限于:
在使用CJAC40N04时,设计工程师需考虑以下几点:
综上所述,CJAC40N04 N沟道MOSFET凭借其卓越的电气性能和较低的功耗,成为高效能电子设计的不二之选。从电源管理到电机驱动,再到LED照明,其广泛的应用和高密度封装设计,使得该产品在现代电子设计中扮演着重要角色。随着电子技术的不断进步,CJAC40N04将继续为高性能的电子产品提供强有力的支持。