D5V0X1B2LPQ-7B 产品实物图片
D5V0X1B2LPQ-7B 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

D5V0X1B2LPQ-7B

商品编码: BM0212392082
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1006-2
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
瞬态抑制二极管(TVS) D5V0X1B2LPQ-7B X1-DFN1006-2
库存 :
10000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.406
按整 :
卷(1卷有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.406
--
500+
¥0.27
--
5000+
¥0.235
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

D5V0X1B2LPQ-7B参数

击穿电压7V反向截止电压(Vrwm)5.5V
商品分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)峰值脉冲电流(Ipp)1.5A@8/20us
最大钳位电压14V极性双向
类型TVS

D5V0X1B2LPQ-7B手册

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无数据

D5V0X1B2LPQ-7B概述

D5V0X1B2LPQ-7B 产品概述

一、产品简介

D5V0X1B2LPQ-7B是一款来自美台DIODES公司的瞬态抑制二极管(TVS),封装形式为X1-DFN1006-2。这款TVS二极管专为保护电子设备免受电压瞬态冲击而设计,能够提供快速、可靠的电压过压保护,广泛应用于各种电子设备和电路中。

二、主要特点

  1. 快速响应时间:D5V0X1B2LPQ-7B具有非常快的响应时间,能够在电压过冲发生时迅速导通,及时抑制瞬态电压,从而保护敏感的电子元件。

  2. 低击穿电压:该产品的击穿电压在5V左右,意味着它能够在电压达到一定阈值时快速启动保护机制,防止电压超出设备的额定工作范围。

  3. 高能量吸收能力:D5V0X1B2LPQ-7B具备较高的能量吸收能力,能够吸收较大的瞬态能量,确保被保护电路的安全。

  4. 小型封装:采用X1-DFN1006-2封装形式,使其适应于空间受限的应用场景。同时,小型设计也有助于提高整体电路的集成度。

  5. 优异的钳位特性:该器件在电气特性上的表现确保了钳位电压低,有效保护下游器件,减少由于过电压引起的损坏风险。

  6. 可靠性与稳定性:DIODES公司在元件生产上的严格标准,确保了D5V0X1B2LPQ-7B的长期可靠性,适合于各种具有挑战性的工作环境。

三、应用领域

D5V0X1B2LPQ-7B的应用场景广泛,适用于多种电子设备和电路,主要包括但不限于:

  1. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑、便携式音响等,能够确保产品在使用过程中的安全性。

  2. 工业设备:在PLC、变频器、传感器等工业自动化设备中,D5V0X1B2LPQ-7B可以有效防止瞬态电压引起的故障,保障设备正常运行。

  3. 通信设备:在网络路由器、交换机等通信设备内部使用TVS二极管,可保护数据传输的稳定性,避免数据干扰和信号丢失。

  4. 汽车电子:随着汽车电子化程度的提高,各种电子控制单元(ECU)面临电压瞬态干扰,使用D5V0X1B2LPQ-7B能够增强系统的可靠性。

  5. LED驱动电路:在LED照明应用中,瞬态压降能够影响LED的使用寿命,通过D5V0X1B2LPQ-7B可以有效地抑制瞬态电压,延长LED的使用时间。

四、技术规格

为了满足不同应用的需求,D5V0X1B2LPQ-7B具有以下技术规格:

  • 最大工作电压:5V
  • 峰值脉冲电流:提供额外的临界承受能力。
  • 封装尺寸:符合X1-DFN1006-2标准。

这些规格确保了D5V0X1B2LPQ-7B在多种条件下均能有效工作,减少设备因电压瞬变而导致的损坏或故障。

五、总结

D5V0X1B2LPQ-7B是DIODES公司推出的一款高性能瞬态抑制二极管,凭借其快速的响应时间、低击穿电压以及优越的钳位特性,广泛应用于多个领域的电子设备中。该器件不仅提高了设备的可靠性,还为设计工程师提供了灵活的设计选择,是现代电子设计中不可或缺的保护元器件之一。随着技术的发展,D5V0X1B2LPQ-7B将继续在瞬态电压保护领域发挥其重要作用。