FDS6679AZ 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FDS6679AZ

商品编码: BM0211623681
品牌 : 
UMW(友台半导体)
封装 : 
SOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
SOP-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.76
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.76
--
100+
¥1.41
--
750+
¥1.25
--
1500+
¥1.19
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

FDS6679AZ参数

功率(Pd)3.2W反向传输电容(Crss@Vds)57pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,10A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)29.5nC@15V
漏源电压(Vdss)30V输入电容(Ciss@Vds)2.55nF
连续漏极电流(Id)13.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA

FDS6679AZ手册

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FDS6679AZ概述

FDS6679AZ 是由友台半导体(UMW Semiconductor)推出的一款高性能功率MOSFET,采用流行的SOP-8封装形式。该产品广泛应用于多个电子电路,尤其是在开关电源、DC-DC转换器、电子负载和其他要求高效转换的电源管理系统中。

主要特点

  1. 结构优势:FDS6679AZ采用了先进的2020技术,具有低导通电阻(RDS(on)),使得该器件在开关状态下能承受更大的电流,从而显著提高了电源转换效率。这在降低散热的同时增加了系统的可靠性。

  2. 电气特性:该MOSFET具有高电压和高电流的承受能力,最大漏极至源极电压(Vds)可达到30V,最大漏极电流(Id)可达到43A,能够满足各种重负载应用的需求。同时,其栅极至源极阈值电压(Vgs(th))范围适中,适配多种控制电路。

  3. 热特性:FDS6679AZ的低热阻特性使得在高功率工作时可维持较低的温度,这在功率密集型应用中尤为重要。良好的热管理不仅提高器件的性能还延长了设备的使用寿命。

  4. 封装与尺寸:SOP-8封装结构使得FDS6679AZ具备较小的占位面积,同时支持自动贴装,适合大规模生产。它的封装设计也有助于提高电路板的密度,支持现代电子设备向小型化方向的发展。

应用场景

FDS6679AZ的多元化特性使之适合于多种应用场合:

  • 开关电源:在电源转换器的开关模块中,FDS6679AZ可作为主开关元件,提供高效的电源管理解决方案。

  • DC-DC转换器:在步升或步降电压的DC-DC转换应用中,FDS6679AZ作为开关控制器,能够实现较高的转换效率,减少能量损耗。

  • 电机驱动:该MOSFET也可以在电机驱动的应用中使用,提供高效的电流控制和快速的响应时间,保证电机的平稳运行和控制。

  • LED驱动电路:在LED驱动电路中,由于其开关速度快、导通电阻低,FDS6679AZ能够有效提升LED的驱动效率,从而提高光照效果。

结论

FDS6679AZ作为UMW半导体开发的一款重要的功率MOSFET,凭借其卓越的电气性能、良好的热特性和适应广泛的应用场景,在电源管理和驱动系统中扮演着重要角色。这款器件不仅为开发人员在电源设计中提供了便利,同时也支持了现代电子产品对高效能和高可靠性的需求。

随着电子行业向更高的集成度与更小的体积发展,FDS6679AZ展现出的高效能特性和可靠性将使其在未来的电源设计中继续发挥重要作用。对于开发者来说,选择FDS6679AZ将是构建更高效、稳定电源解决方案的明智之举。