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SI2302A 产品实物图片
SI2302A 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2302A

商品编码: BM0211617584
品牌 : 
UMW(友台半导体)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 2.8A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
5637(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.348
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.348
--
200+
¥0.116
--
1500+
¥0.0725
--
3000+
¥0.0499
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2302A参数

功率(Pd)800mW反向传输电容(Crss@Vds)80pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)60mΩ@2.5V,3.1A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)300pF@10V连续漏极电流(Id)3.6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA

SI2302A手册

SI2302A概述

SI2302A 产品概述

1. 引言

随着电子技术的快速发展,现代电路设计对功率管理的要求越来越高。在这一背景下,场效应管(MOSFET)作为一种重要的半导体器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理等领域。其中,UWM(友台半导体)推出的 SI2302A N沟道 MOSFET 凭借其出色的性能特点,成为众多应用场景中的理想选择。

2. 产品基本参数

  • 型号: SI2302A
  • 类型: N沟道场效应管
  • 额定功率: 1.25W
  • 最大电压: 20V
  • 最大电流: 2.8A
  • 封装类型: SOT-23

3. 结构与工作原理

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种利用电场效应控制电流流动的晶体管。SI2302A 作为 N沟道 MOSFET,意味着它的源极(Source)接地,栅极(Gate)施加正电压后,能够有效控制漏极(Drain)与源极之间的电流流动。

在 SOT-23 封装中,SI2302A 具有紧凑的体积和良好的散热性能,适合于多种应用场合,尤其是在空间受限的场景下,能够满足设计师对于小型化、高效率的需求。

4. 性能特点

  1. 高开关效率: SI2302A 适用于高频开关应用,具备快速的开关速度,能够在较短的时间内完成导通与关断操作。
  2. 低导通电阻: 该器件具有低的 R_DS(on) 值,这意味着在导通状态下,通过 MOSFET 的电流损耗极小,从而提高整体电路效率。
  3. 宽电流范围: 额定电流高达 2.8A,使得 SI2302A 能够在多个电流负载中表现出色。
  4. 良好的热管理性能: 由于其合理的封装设计,SI2302A 提供了有效的散热路径,保证在高功率工作时不会过热。

5. 应用场合

SI2302A MOSFET 适用于多种领域,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS): 适用于电源的开关控制,通过高频操作实现高效的电压转换。
  • 电机驱动: 在电机驱动电路中,作为开关元件,控制电机的启动和运行状态。
  • LED 驱动: 可用于 LED 照明系统,控制LED 的开关,提供更好的调光效果。
  • 电池管理系统: 在电池充放电过程中,MOSFET 可用于控制电流流动,以保护电池。

6. 竞争优势

与市场同类产品相比,SI2302A 拥有多项竞争优势,如:

  • 高性价比: UWM 提供的 SI2302A 以合理的价格提供优异的性能,适合大规模生产的电子应用。
  • 可靠的品质: 作为知名半导体品牌,UMW 制造的器件经过严格的质量控制,确保每个产品的可靠性。
  • 良好的支持服务: UWM 公司提供完善的技术支持与服务,帮助客户优化设计,提升产品应用的成功率。

7. 结论

总体来说,SI2302A N沟道 MOSFET 是一款兼具高性能和高性价比的电子元器件,适合多种功率管理和开关控制的应用场合。其优秀的电气特性、可靠的散热性能以及广泛的适用性,使其成为现代电子产品设计中不可或缺的重要组成部分。随着应用领域的不断扩展,SI2302A 将会在更多的电子产品中发挥关键作用。