FDMS86263P
FDMS86263P参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Ta），22A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 53 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3905pF @ 75V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），104W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
FDMS86263P手册
FDMS86263P概述
FDMS86263P 产品概述
概述
FDMS86263P 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能 P 型 MOSFET，具备表面贴装封装，设计用于高电压和高电流应用。该器件的最大漏源电压为150V，具有优异的导通特性和低导通电阻性能，特别适合用于高效能电源管理、电子控制器和驱动电路等领域。
主要特性
高电压承受能力: FDMS86263P 的漏源电压（Vdss）为150V，使其在需要高电压稳压和调节的应用中具有广泛的适用性。
高连续电流输出: 该器件在环境温度（Ta）下的最大连续漏电流（Id）可达4.4A，若在集成散热条件下（Tc），则最大漏电流可达22A，确保其在严苛电流条件下也能稳定运行。
低导通电阻: FDMS86263P 在4.4A和10V的条件下，导通电阻（Rds On）最大值为53毫欧。这一特性有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
较宽的栅极驱动电压范围: 该器件在驱动电压范围内（最大Rds On驱动电压为6V，最小为10V），适应性强，适用于多种驱动电路。
卓越的热管理能力: 在环境温度条件下，FDMS86263P 的功率耗散最大为2.5W，而在集成散热条件下可以支持达到104W的功率耗散，非常适合高功率应用。
广泛的工作温度范围: 该器件支持的工作温度范围为-55°C 到 150°C，适应了多种工业和汽车应用的需求，确保在极端环境中也能可靠运行。
高输入电容特性: FDMS86263P 的输入电容（Ciss）在75V时最大值为3905pF，确保其在高频信号切换时表现稳定，适用于快速开关电路。
小型封装: 采用8-PQFN（5x6）封装，具有较小的占用空间，适合现代电子设备紧凑设计要求，增强了电路布局的灵活性。
应用场景
FDMS86263P 适合于多个高性能应用，如：
- 电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器等领域中应用，提供高效的电力转换与调节。
- 电机驱动: 在电机控制和驱动电路中，提供高电流支持，确保电机有足够的输出力量。
- 消费电子产品: 用于电视、音响、个人电脑等领域的电源部分，保障设备性能稳定。
- 汽车电子: 由于其在极端温度下的稳定性，非常适合用于汽车电源管理系统，控制各种电子设备的电源需求。
结语
FDMS86263P 作为一款高性能的 P 型 MOSFET，其卓越的电气性能、良好的热管理能力和适应性强的封装设计，使其成为电子设计工程师在高压、高current 应用中的理想选择。无论是在电源管理的细节，还是在大功率驱动方面，FDMS86263P 均能提供可靠的解决方案，满足现代电气工程中对效率、功耗和稳定性的多重需求。