SBC856BLT1G
SBC856BLT1G参数
| 晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 220 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
SBC856BLT1G手册
SBC856BLT1G概述
SBC856BLT1G 产品概述
概述
SBC856BLT1G 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的高性能PNP型三极管，采用SOT-23-3（TO-236）表面贴装封装设计。这款三极管具有低功耗、高电流增益和良好的频率响应，因而在多种电子应用中得到了广泛使用。这种三极管的最大集电极电流（Ic）为100mA，最大集射极击穿电压为65V，使其在许多中等功率应用中表现出色。其工作温度范围可达-55°C至150°C，适合在恶劣环境下的应用。
基本参数
- 晶体管类型：PNP
- 最大集电极电流 (Ic)：100mA
- 最大集射极击穿电压 (Vce)：65V
- 集电极截止电流 (ICBO)：15nA
- 饱和压降 (Vce(sat))：最大值650mV，针对集电极电流5mA和100mA
- DC电流增益 (hFE)：在2mA和5V时，最小值220
- 最大功率：300mW
- 频率跃迁：100MHz
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-23-3（TO-236）
设计特性
高电流增益： SBC856BLT1G 提供的高电流增益（hFE 最小值220）使其在信号放大和开关应用中更具效率。出色的增益特性使得该器件在相对较低的输入控制电流下能够驱动较高的输出电流，这是设计中非常重要的一个方面。
低饱和压降： 该三极管在工作时表现出较低的饱和压降（650mV）。这一特性在开关电源、音频放大和其他要求高效率的电路中尤为关键，可以有效减少功耗并提高电路的整体效率。
宽工作温度范围： SBC856BLT1G 能够在-55°C到150°C的极端温度条件下稳定工作。这种设计能力使其更适合在苛刻环境下的应用，如汽车电子、工业控制和航空航天等领域。
高频特性： 最高达到100MHz的跃迁频率为该三极管在高频应用中的使用提供了更多可能性。这使得SBC856BLT1G能够满足当前市场上对高速信号处理和射频应用的需求。
应用领域
由于其优秀的电流和电压特性，SBC856BLT1G 适合多种应用，包括但不限于：
- 开关电源：可用于高效开关模块，通过较低的饱和压降和高电流增益优化电源效率。
- 信号放大：在音频和射频电路中作为信号放大器，提供良好的增益和带宽。
- 切换电路：在开关电路中作为控制元件，能够以低控制电流驱动更高的负载电流。
- 传感器驱动：可以用于探测器和传感器电路，提供可靠的信号处理。
- 电机控制：作为电机驱动电路的一部分，能够提供必要的功率和控制。
封装和安装
SBC856BLT1G 采用SOT-23-3封装，具有紧凑的设计，适用于现代电路中的小型化需求。表面贴装型的特性使得PCB布局更加灵活，并且有助于提高生产效率，减小安装尺寸。
总结
SBC856BLT1G 是一款性能卓越的PNP型三极管，凭借其出色的电气性能和广泛的应用适用性，能够满足各种电子设备和电路的需求。对于设计和工程师而言，这款三极管在信号放大、开关控制和电源管理等方面提供了强有力的支持，成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。