2N7002DW 产品实物图片
2N7002DW 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2N7002DW

商品编码: BM0211509972
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SC-88(SC-70-6)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 2个N沟道 SC-70-6(SOT-363)
库存 :
2134(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.997
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.997
--
200+
¥0.767
--
1500+
¥0.667
--
3000+
¥0.58
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

2N7002DW参数

FET 类型2 N-通道(双)FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)115mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.5 欧姆 @ 50mA,5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)50pF @ 25V功率 - 最大值200mW
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装SC-88(SC-70-6)

2N7002DW手册

empty-page
无数据

2N7002DW概述

2N7002DW 产品概述

概述

2N7002DW 是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),集成了两路独立的N沟道FET,设计用于逻辑电平驱动及开关应用。这款元器件不仅能够满足高频率和高效能的开关要求,还具有宽广的工作温度范围,使其适用于多种电子设备和工业场合。它的适用性及可靠性使其在消费电子、通讯、自动控制及电源管理等领域得到了广泛的应用。

产品特性

  1. N沟道结构:作为一种N沟道MOSFET,2N7002DW在需要低电压和低电流控制的电路中表现出色,具有良好的导通性和低的导通电阻。
  2. 逻辑电平驱动:该器件支持逻辑电平门控,适合与微处理器及数字电路直接连接,无需额外的驱动电路,便于简化电路设计。
  3. 漏源电压(Vdss):具有60V的漏源电压能力,适用于要求较高耐压的应用场合。
  4. 连续漏极电流(Id):在25°C下可提供115mA的连续漏极电流,满足大多数家用及工业设备对电流的需求。
  5. 导通电阻:在50mA、5V下,器件的最大导通电阻为7.5欧姆,这一指标保证了在高频开关操作中的高效率和低功耗运行。
  6. 阈值电压(Vgs(th)):阈值电压最大为2V(@ 250µA),确保器件能够在较低的门极电压下开启,提高了系统的灵活性。
  7. 输入电容:最大输入电容(Ciss)为50pF(@ 25V),适合于高频开关操作,减少了开关损耗。
  8. 散热特性:最大功耗为200mW,适合于低功耗电路,为确保焊接质量,采用表面贴装型(SM)封装,极大地减少了PCB空间。
  9. 工作温度范围:工作温度范围为-55°C至150°C,适应各种恶劣环境,展现出出色的稳定性和可靠性。

应用领域

2N7002DW 适合于多种应用场景,主要包括:

  • 开关电源:用于电源管理电路,可以有效控制电源的开关,提供及时的功率管理。
  • 电机驱动:在步进电机控制等项目中,该器件能够实现高效的开关控制。
  • 逻辑电路:可直接与微控制器的输出引脚相连接,构建数字逻辑电路。
  • 信号开关:在音频处理或信号切换应用中实现快速的信号切换。
  • 消费电子产品:如电视、音响、家电等设备的控制模块中,2N7002DW能提供高效稳定的性能。

封装与安装

2N7002DW采用SC-88(SC-70-6)封装设计,封装体积小,适合密集的PCB布局,表面贴装型( SMT)设计方便自动化焊接过程,降低生产难度和成本。

总结

总而言之,2N7002DW是一款多功能的N沟道MOSFET,凭借其独特的电气特性和广泛的工作温度范围,成为了许多电子设计中不可或缺的元件。无论是在简单的逻辑电路,还是在严苛的工业应用中,它都能提供可靠而高效的电流控制解决方案。在电子行业中,这款器件凭借其高性价比与优秀表现而备受赞誉,是设计师和工程师们的理想选择。对于希望在小型空间内实现高效率工作的开发者来说,2N7002DW提供了一种灵活且足够强大的解决方案。