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产品参数
产品手册
产品概述
SIHB24N80AE-GE3参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 184 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±30V | 功率耗散（最大值） | 208W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK（TO-263） | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 89nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1836pF @ 100V |
SIHB24N80AE-GE3手册
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SIHB24N80AE-GE3概述
SIHB24N80AE-GE3 产品概述
1. 产品简介
SIHB24N80AE-GE3 是由 VISHAY（威世）公司推出的一款 N 通道 MOSFET（场效应管），其设计旨在为高电压和高电流应用提供出色的性能和效率。作为一种表面贴装型器件，该 MOSFET 采用 D2PAK（TO-263）封装，使其在空间有限的电路设计中显得尤为重要。其主要优势在于支持高达 800V 的漏源电压和连续 21A 的漏极电流，适用于各种电源管理和功率转换领域。
2. 关键参数
- 制造商: VISHAY Siliconix
- 器件类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 800V
- 连续漏极电流 (Id at 25°C): 21A
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 184 mΩ @ 10A, 10V
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA（不同 Id 时最大值）
- 栅极电压 (Vgs): ±30V（最大值）
- 功率耗散 (Pd): 208W（Tc 最大值）
- 工作温度范围 (TJ): -55°C ~ 150°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装: TO-263-3, D²Pak (2 引线 + 接片)
3. 性能特点
- 高功率处理能力: 该 MOSFET 最大功率耗散可达 208W，适应多种高功率应用场景。
- 低导通电阻: 其技术优势在于较低的导通电阻 (184 mΩ)，这意味着在导通状态下损耗的功率较少，从而提高了整体的能效。
- 高电压操作: 支持高达 800V 的漏源电压，使其在高电压电源转换和电机驱动应用中表现优异，能够应对激烈的电气应力。
- 广泛的工作温度范围: 能够在-55°C 到 150°C 的温度范围内稳定运行，适合在苛刻环境下使用。
4. 应用场景
SIHB24N80AE-GE3 适用于以下应用场景：
- 电源管理: 在开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）中进行高效的电流调节和转换。
- 电机驱动: 用于高电流电机驱动电路，优化电机的控制性能和能效。
- 照明驱动: 在LED照明和其他高功率照明设备中提供有效的电源控制。
- 电力转换: 在各类电力转换器和逆变器中，作为主开关器件，提供优良的开关性能并降低能量损耗。
5. 竞争优势
与市场上其他类型的 MOSFET 相比，SIHB24N80AE-GE3 以其独特的设计和高频率响应性能，在电源效率、散热性能和适应性方面具有明显竞争优势。其封装设计便于大规模制造和集成，适合现代高集成度电子产品的需求。
6. 结论
总的来说，VISHAY 提供的 SIHB24N80AE-GE3 N 通道 MOSFET 是一款在多个高电压和高功率应用场合均能表现优异的高性能元器件。其兼具低导通电阻、高功率处理能力和宽广的工作温度范围，使其成为电子工程师和设计师在构建高效能电源系统时的理想选择。通过选择 SIHB24N80AE-GE3，用户能够在推动技术进步的同时降低能量消耗，实现可持续发展目标。