LMUN2132LT1G 产品实物图片
LMUN2132LT1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

LMUN2132LT1G

商品编码: BM0211373564
品牌 : 
LRC(乐山无线电)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.37
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.37
--
200+
¥0.123
--
1500+
¥0.0771
--
3000+
¥0.0531
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

LMUN2132LT1G参数

功率(Pd)246mW商品分类数字晶体管
工作温度-55℃~+150℃直流电流增益(hFE@Ic,Vce)15@5.0mA,10V
输入电阻6.1kΩ输出电压(VO(on)@Io/Ii)200mV
集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA

LMUN2132LT1G手册

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LMUN2132LT1G概述

LMUN2132LT1G 产品概述

概述

LMUN2132LT1G 是一款高性能的数字晶体管,专为各种电子应用中的开关和信号放大功能而设计。这款晶体管采用 SOT-23 封装,具有紧凑的体积和良好的热性能,适合在空间有限的电路板中使用。作为一款 PNP 型预偏置晶体管,LMUN2132LT1G 可在多种工作条件下实现高效能的电流控制,广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。

关键参数

  • 功率:246mW
  • 最大集电极-发射极电压 (Vce):50V
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA
  • 封装类型:SOT-23
  • 类型:PNP型

特点

  1. 高电压能力:LMUN2132LT1G 的最大集电极-发射极电压高达 50V,使其能够在高压环境下稳定工作。这一特性使其能够适应各种电源电压条件,尤其是在需要处理高电压信号的应用中。

  2. 高功率处理能力:其246mW的功率处理能力,保证了在相对较高的电流和电压下仍能可靠工作。这使得LMUN2132LT1G成为处理相对高功率应用的理想选择。

  3. 紧凑封装:SOT-23 封装不仅节省空间,还降低了电路板的整体重量,非常适合现代电子产品对紧凑设计的要求。它的引脚布局也便于在 PCB 上进行高效焊接和连接。

  4. 预偏置设计:该晶体管的预偏置特性允许其在更高的开关频率下更迅速地开启和关闭。这种设计优化提高了电路的整体效率和响应速度,减少了开关损耗。

应用领域

LMUN2132LT1G 适用于多种应用,包括但不限于:

  • 开关电源:用于开关电源中的能量传输和控制,能够在高效率下运行,减少能量损耗。
  • 信号放大:在音频和视频设备中,作为信号放大级,提供高增益和低失真特性。
  • 电机驱动:适合用于驱动小功率电机,能够在负载变化时保持良好的线性响应。
  • 消费电子设备:如手机、平板电脑、家用电器等,利用其小巧封装和高效性能使设计更加紧凑。
  • 通信设备:在调制解调器和其他通信设备中,提供稳定的信号传输能力。

性能优势

LMUN2132LT1G 的设计注重于高效能和可靠性。其低饱和压降确保了能量的最小损耗,提升了电子产品的续航能力。同时,高集电极电流和电压的特性为设计者提供了更大的灵活性,可以自由调节电流大小以适应具体需求。此外,其优越的热稳定性和动态性能,为复杂的电子系统的稳定运行提供了保障。

结论

总体来看,LMUN2132LT1G 是一款功能强大的数字晶体管,凭借其高电压、高功率、低饱和压降及预偏置设计,成为各类电子应用中不可或缺的元器件。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备的设计中,该晶体管都能为工程师提供高效、可靠的解决方案。因此,选择 LMUN2132LT1G 将为电子设备的性能提升和创新设计提供强有力的支持。