功率(Pd) | 500W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.3mΩ@20A,10V | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 115nC@10V | 漏源电压(Vdss) | 150V |
类型 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.46nF@75V |
连续漏极电流(Id) | 214A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.7V@250uA |
AOTL66518是一款高性能N沟道MOSFET,具有500W功率额定值、150V额定电压和214A的持续电流能力。该器件由知名电子元器件制造商AOS(Advanced Onsemi)生产,采用标准的SOP封装,适合广泛的应用场景,包括但不限于电源管理、马达驱动以及高功率转换等应用。
高功率处理能力:AOTL66518的500W功率额定值使其能够在多种应用场合中安全有效地工作。这使得它非常适合用于高功率电源转换器和电子负载中。
高电压和电流能力:具备150V的最大漏源电压和214A的持续漏电流能力,使得该MOSFET在诸如逆变器、电动汽车和工业驱动等应用中具有优良的适应性。
优良的导通电阻:该器件的导通电阻(R_DS(on))保持在较低水平,有助于降低功率损耗,提升能效。低导通电阻还可以在高频率下减少开关损耗,提高整体电路的效率。
快速开关特性:AOTL66518具备良好的开关性能,可以快速地从导通状态切换到关断状态,减少开关延迟。这一特性对于高频开关电源和高频变换应用尤为重要。
优异的热性能:MOSFET设计中加入了优秀的热管理设计,能够在高负载和高温环境下稳定工作,延长了整个系统的使用寿命。
SOP封装设计:AOTL66518采用SOP封装,方便PCB布置,同时能够提供良好的散热性能,适应不同的组装方式(如表面贴装技术,SMT)。
AOTL66518的独特特性使其广泛应用于以下领域:
电源管理:用于DC-DC转换器、AC-DC变换器等电源转换器件,提供高效率的电能转换。
马达驱动:适用于各种电机控制应用,包括无刷直流电机(BLDC)驱动和步进电机控制。
可再生能源系统:可用于太阳能逆变器和风能发电系统中,以高效地转换和管理电能。
电动汽车:在电动汽车的电源管理系统中,作为高效的开关器件,帮助提升汽车整体能耗管理。
工业应用:在工业自动化和控制系统中,为各种负载提供稳定的电力支持。
AOTL66518是一款高效、低损耗且功能出众的N沟道MOSFET,凭借其强大的电压和电流处理能力,出色的开关性能以及优良的热性能,使其成为电源管理、电动机驱动等应用的理想选择。AOS的品牌信誉和该产品的可靠性使得AOTL66518成为设计工程师和技术人员在高功率应用中,一个值得推荐的解决方案。无论您是在寻找高效电源开关,还是高性能电机控制器,AOTL66518都能满足您的需求,为您的设计带来可靠的性能和优秀的能效。