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NTE4153NT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SC-89-3
包装 :
编带
重量 :
0.033g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300mW 20V 915mA 1个N沟道 SC-89
库存 :
330(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.829按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.829
--
200+
￥0.572
--
1500+
￥0.52
--
3000+
￥0.486
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
NTE4153NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 915mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 230 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±6V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Tj） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SC-89-3 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.82nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 110pF @ 16V |
| 基本产品编号 | NTE415 |
NTE4153NT1G手册
无数据
NTE4153NT1G概述
NTE4153NT1G 产品概述
1. 产品简介
NTE4153NT1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件广泛应用于各种电子设备中，尤其是要求严格的电源管理、开关电路和信号调理等领域。这款 MOSFET 具备出色的电流承载能力和高效的导通性能，适合在高温和高电压条件下稳定工作。
2. 关键参数
- 制造商: ON Semiconductor
- 封装类型: SC-89-3
- 器件状态: 有源
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）
- 最大漏极电流（Id）: 915 mA（在 25°C 时）
- 最大漏源电压（Vdss）: 20 V
- 连续功率耗散: 300 mW（在 Tj 时）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 栅极源电压 (Vgs): ±6 V
- 最大导通电阻（Rds On）: 230 mΩ（在 4.5V，600mA 时）
- 阈值电压 (Vgs(th)): 1.1 V @ 250 μA
- 栅极电荷（Qg）: 1.82 nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss): 110 pF @ 16V
- 安装类型: 表面贴装型
3. 应用领域
NTE4153NT1G MOSFET 被广泛应用于多种领域，主要包括：
- 电源管理：其高电流和低导通电阻特性使其非常适用于 DC-DC 转换器、开关电源和线性电源等应用。
- 开关控制：MOSFET 可以迅速打开和关闭，在继电器和电机驱动电路中表现出色。
- 信号调理电路：在传感器信号处理及信号放大电路中，NTE4153NT1G 可以有效放大低电平信号。
- 汽车和工业控制：由于其高工作温度范围，该器件非常适合在恶劣环境下工作。
4. 产品优势
- 高效率：低 Rds On 有效降低导通损耗，提高整体系统效率。
- 广泛的工作温度：该 MOSFET 可以在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定运行，适应多种使用条件。
- 紧凑的封装：SC-89-3 封装设计使其在空间受限的应用中更具适应性。
- 可靠性高：ON Semiconductor 在元器件制造中的严谨标准保证了该产品的高可靠性，减少了故障风险。
5. 结论
NTE4153NT1G 作为一款高效的 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的电流承载能力和低导通电阻特点，售价亲民，且适用于广泛的应用场合，适合于现代电子设计中的各类电源开关和信号调理应用。选择 NTE4153NT1G，您可以在确保性能的基础上，实现更高的设计灵活性和系统集成度。