电压 - 集射极击穿(最大值) | 430V | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 1.6V @ 4V,6A |
栅极电荷 | 17nC | 功率 - 最大值 | 150W |
测试条件 | 300V,1000 欧姆,5V | 工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) |
输入类型 | 逻辑 | 反向恢复时间 (trr) | 7µs |
安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 21A |
25°C 时 Td(开/关)值 | -/4µs |
ISL9V3040D3ST-F085C 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有卓越的电气特性和宽广的应用范围。该器件的设计专门用于高电压和高电流的电力电子应用,适用于需要高效开关和控制的场景。
电压规格:
导通电压 (Vce(on)):
栅极电荷 (Qg):
功率处理能力:
工作温度范围:
反向恢复时间:
极限电流 (Ic):
封装类型:
ISL9V3040D3ST-F085C IGBT 适用于多种电力电子应用,如:
ISL9V3040D3ST-F085C 在高压条件下具有优异的导通性能和低开关损耗,非常适合对能效和稳定性要求极高的环境。此外,其宽工作温度范围使得该器件能够满足各种苛刻条件下的需求,进一步增强了市场竞争力。
总体来说,ISL9V3040D3ST-F085C 是一款具备高性能、高可靠性和广泛适用性的IGBT管,特别适合需要高效能源转换和控制的应用场合。凭借其优越的电气参数和灵活的封装设计,ISL9V3040D3ST-F085C 可以满足现代电力电子设备对性能和效率的高标准要求。通过利用这一高性能IGBT,设计师可以开发出更加高效、紧凑、可靠的电力电子解决方案。