PEMH11,315
PEMH11,315参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA | 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 | 基本产品编号 | MH11 |
PEMH11,315手册
PEMH11,315概述
产品概述：PEMH11,315 - 数字晶体管（300mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-666）
一、基本信息及背景 PEMH11,315是一款由Nexperia USA Inc.制造的高性能数字晶体管，采用创新的SOT-666封装技术，尤其适合表面贴装应用。作为一款双NPN预偏置晶体管，PEMH11,315集成了两个功能强大的NPN晶体管于一体，具有优异的电气特性，主要用于数字电路及信号处理、开关电源和信号放大等应用。
二、结构及特性 PEMH11,315的结构设计采用了现代化的SOT-666（6引脚）封装，这种封装类型不仅可以提高电路板的布线密度，同时也有助于更好的热管理特性。此晶体管的主要电气特性包括：
- 最大集电极电流（Ic）：100mA，适合处理较高的电流负载。
- 最大集射极击穿电压（Vce）：50V，提供了良好的电压耐受能力，适用于多种工作环境。
- 集电极截止电流（Ic(max)）：1µA，保证在关闭状态下的泄漏电流极低，符合低功耗设计需求。
三、电流增益及饱和性能 PEMH11,315在不同的工作状态下表现出良好的电流增益特性。在5mA的Ic和5V的Vce条件下，其最小直流电流增益（hFE）为30，使得它在信号放大时表现出良好的增益稳定性。同时，在500µA的Ib及10mA的Ic条件下，其Vce饱和压降最大为150mV，确保在开关操作时的最低压降，从而有效提高电路的效率和响应速度。
四、基极和发射极电阻 该晶体管的基级电阻（R1）和发射极电阻（R2）均为10千欧，帮助实现良好的偏置设置。这一设计不仅简化了外部电路的设计，同时提高了整体电路的稳定性及可靠性。
五、功率及热特性 PEMH11,315的最大功率输出为300mW，能够在多个应用场景下提供稳定的性能表现。其设计优越的热特性有助于延长器件生命周期，特别适合在空间和散热条件受限的环境中运行。
六、应用场景 由于其优良的电气特性，PEMH11,315被广泛应用于多个电子设备和系统，包括但不限于：
- 数字电路：用于逻辑功能和开关。
- 信号放大：在音频或者无线应用中作为信号放大器。
- 自动化控制：在传感器、执行器中作为开关元件。
- 开关电源：在DC/DC变换器中用于高效电源转换。
七、总结 总的来说，PEMH11,315是一款高度集成且性能卓越的数字晶体管，凭借其强大的电气特性和紧凑的表面贴装封装，成为现代电子设计的理想选择。无论是在消费电子产品、工业设备，还是在汽车电子中，其广泛的适用性以及优异的性能表现都将满足设计师对高效、可靠元件的追求。未来，PEMH11,315将继续在推动电子技术的进步及创新中发挥重要作用。