制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 8 @ 5mA,10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 5mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 功率 - 最大值 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 基本产品编号 | MUN53 |
一、基本信息
MUN5331DW1T1G是一款由ON Semiconductor制造的数字晶体管,采用SC-88(也称为SC-70-6或SOT-363)封装,适合表面贴装型应用。这款晶体管集成了一个NPN型和一个PNP型晶体管,采用预偏压设计,可为各种数字电路提供高效、可靠的开关功能。MUN5331DW1T1G的最大集电极电流(Ic)为100mA,最大集射极击穿电压(Vce)为50V,功率最大值为250mW,提供了一定的电气性能和安全边际。
二、核心参数分析
电流与电压性能:
增益特性:
饱和与基极电阻:
三、应用场景
MUN5331DW1T1G由于其优异的电气性能,广泛应用于数字电路和小信号放大器,如:
四、封装与安装
MUN5331DW1T1G的SC-88封装体积小巧,适合安装在空间有限的应用场合。其表面贴装的设计使得在现代电子产品中更具灵活性,能够适应自动化生产需求,也便于实现高密度布线。封装的设计使得该器件在焊接和散热能力方面都具备良好的表现,进一步提升了设备的可靠性。
五、总结
MUN5331DW1T1G是ON Semiconductor推出的一款高性能数字晶体管,适合多种应用场合,如开关电源、信号处理和电子开关等。其较高的集电极电流和集射极击穿电压,加上低功耗和小型封装,将成为设计师在选用电子元器件时的优秀选择。无论是在消费电子、通讯设备还是工业自动化领域,MUN5331DW1T1G均能提供稳定、高效的性能,助力各类电子产品的成功实施。