功率(Pd) | 150mW | 商品分类 | 数字晶体管 |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 3V@10mA,0.3V |
电阻比率 | 1.2 | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@5mA,5V |
输入电阻 | 13kΩ | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
UMD3N是一款由江苏长电(CJ/长晶)生产的双数字晶体管,采用了广泛应用的SOT-363封装。这款器件旨在满足现代电子电路中对高效、紧凑的信号放大和开关应用的需求。UMD3N晶体管凭借其优异的性能和小型化设计,适用于各类消费电子、通信设备、工业控制及汽车电子等多个领域。
UMD3N双数字晶体管是一种NPN类型的晶体管,主要由两个独立的晶体管组成,能够在同一封装内实现多路信号的处理。其主要技术参数包括:
UMD3N因其优异的特征适用于多种应用场景,包括但不限于:
UMD3N作为双数字晶体管,具有众多性能优势:
UMD3N双数字晶体管是现代电子设备中不可或缺的重要元件之一。其优越的性能、紧凑的封装以及多样的应用场景使其能够广泛服务于各类电子产品和系统。从开关控制到信号放大,UMD3N都能够以高效和稳定的方式满足市场需求。作为江苏长电(CJ/长晶)旗下的产品,UMD3N不仅确保了高质量的制造标准,也为用户提供了可靠的使用体验。野心勃勃的电子产品开发者无疑可以通过使用UMD3N产品,提升其设计的整体性能和效率。