NTTFS4C02NTAG
NTTFS4C02NTAG参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.25 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 91W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2980pF @ 15V |
| 基本产品编号 | NTTFS4 |
NTTFS4C02NTAG手册
NTTFS4C02NTAG概述
产品概述：NTTFS4C02NTAG
制造商：ON Semiconductor
产品名称：NTTFS4C02NTAG
包装类型：卷带（TR）
零件状态：有源
FET 类型：N 通道 MOSFET
封装类型：8-WDFN（3.3x3.3 mm）
在现代电子设计中，场效应管（MOSFET）的选择对于系统的性能及效率至关重要。ON Semiconductor 的 NTTFS4C02NTAG 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，特别适用于各种电源管理、开关电源以及电动机控制等应用场景。以下是该元器件的主要技术参数及其应用。
主要技术参数
连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的环境温度下，NTTFS4C02NTAG 能够承受高达 170A 的连续漏极电流。这一特性使得它非常适合在高功率和高负载的应用中使用。
导通电阻 (Rds On)：该MOSFET 在 10V 的驱动电压下，导通电阻的最大值为 2.25毫欧（在 20A 的电流条件下测得）。低导通电阻意味着在工作时较低的功率损耗和发热，提高了整体的电能利用效率。
阈值电压 (Vgs(th))：阈值电压最大值为 2.2V，确保在较低的栅极驱动电压下便能开启，这对于电源管理应用中的效率优化至关重要。
栅极电压 (Vgs) 和漏源电压 (Vdss)：NTTFS4C02NTAG 的栅极电压最大值为 ±20V，而漏源电压 (Vdss) 则为 30V，能够适应大多数标准应用的需求，提供良好的设计灵活性。
功率耗散：该 MOSFET 的最大功率耗散为 91W，在设计高功率应用时，这一参数是非常重要的，能够确保设备在各种环境条件下正常工作而不产生过热。
工作温度范围：广泛的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，极大地提升了其在苛刻环境下的应用能力，包括汽车、工业和消费电子等领域。
输入电容 (Ciss)：在15V下的输入电容为 2980pF，较大的输入电容值使得它能够在高速开关操作中保持较好的稳定性，减少对驱动电路的要求。
栅极电荷 (Qg)：在 4.5V 的驱动下，栅极电荷的最大值为 20nC，低的栅极电荷意味着快速开关特性，适用于快速开关电路设计，能有效降低开关损耗。
应用场景
NTTFS4C02NTAG 的设计使其成为电源管理和电动机控制等应用的理想选择。以下是一些具体应用场景：
DC-DC 转换器：在高效能 DC-DC 转换器中，用户需要高精度的开关元件以实现最佳的能量转换效率，NTTFS4C02NTAG 以其低 Rds On 和高 Id 特性，满足了这一需求。
电动汽车 (EV)：由于其出色的功率处理能力和温度范围，NTTFS4C02NTAG 适合用于电动汽车的电源模块、驱动器以及电池管理系统中。
工业自动化：在电机驱动和控制系统中，使用这款 MOSFET 能够确保系统的高效运行，尤其是在要求高负载和高电流应用的情况下。
便携式设备：凭借其小巧的封装和低功耗特性，NTTFS4C02NTAG 也适合于便携式设备及其他需要高效能和小型化的电源解决方案。
总结而言，NTTFS4C02NTAG 是一款适用于多种高效能应用的高性能 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性和可靠的工作性能，能够满足现代电子设计中日益增长的需求。选择 NTTFS4C02NTAG，能够为您的项目提供性能、可靠性和高效能保障。