2N60G-LC1-AA3-R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

2N60G-LC1-AA3-R

商品编码: BM0209752052
品牌 : 
UTC(友顺)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2N60G-LC1-AA3-R SOT-223
库存 :
4940(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.677
按整 :
卷(1卷有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.677
--
100+
¥0.452
--
1250+
¥0.41
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

2N60G-LC1-AA3-R参数

功率(Pd)2.3W反向传输电容(Crss@Vds)2.3pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@10V,1A
工作温度-40℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)3.8nC@10V
漏源电压(Vdss)600V输入电容(Ciss@Vds)285pF
连续漏极电流(Id)2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

2N60G-LC1-AA3-R手册

2N60G-LC1-AA3-R概述

产品概述:2N60G-LC1-AA3-R 场效应管 (MOSFET)

概述

2N60G-LC1-AA3-R 是由 UTC(友顺)公司生产的一款高性能场效应管(MOSFET),封装形式为 SOT-223,这种封装结构使得其适用于多种电子应用,尤其是在空间受限的情况下,能够有效节省电路板空间。同时,凭借其出色的电气特性,2N60G-LC1-AA3-R 被广泛用于开关电源、电机驱动以及其它高频率开关应用中。

技术规格

  • 封装类型:SOT-223
  • 最大漏极源极电压 (V_DS):约60V,这使得该MOSFET非常适合于中等电压的电源管理和控制。
  • 最大漏极电流 (I_D):通常为10A,使其能够承受较大的负载电流,适用于功率放大和开关应用。
  • 开关速度:2N60G-LC1-AA3-R 的开关速度较快,能在高频应用中提供更高的效率和更少的能量损失。
  • 栅极阈值电压 (V_GS(th)):适中,通常在2V至4V之间,这使得其能够在较低的栅压驱动下开启,无需复杂的驱动电路。

主要特点

  1. 高效率: 2N60G-LC1-AA3-R 的设计使其在进行高频开关时损耗较低,适合用于高效率的电源转换电路,能够有效降低发热并提升系统的整体性能。

  2. 抗干扰能力强: 该MOSFET具有很好的抗干扰能力,能够在恶劣的工作环境下保证正常工作,提高系统的可靠性。

  3. 良好的热管理: SOT-223 封装具备较好的散热性能,适用于长时间连续工作,降低了因过热而导致的器件失效风险。

应用场景

2N60G-LC1-AA3-R 适用于多种电子电路和系统,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS): 由于其高电压和高电流特性,2N60G-LC1-AA3-R 可作为开关电源中的开关元件有效控制能量传输,提升电源转换效率。

  • 电机驱动: 在直流电动机和步进电机的驱动电路中,2N60G-LC1-AA3-R 可实现快速开关控制,保证电动机的响应速度和转矩输出。

  • LED驱动: 在LED照明应用中,2N60G-LC1-AA3-R 可用于PWM调光模式,提供高效稳定的驱动电流,提升LED的发光效率。

  • 电源管理系统: 在各种电子设备中,2N60G-LC1-AA3-R 也可以用于电源管理系统,帮助实现电源的开关和分配,提高系统的智能化和节能效果。

使用注意事项

在使用 2N60G-LC1-AA3-R 时需特别注意以下几点:

  • 适当的驱动电压:确保栅极的驱动电压在推荐的范围内,以避免因过高或过低的电压造成MOSFET损坏。

  • 热管理:在大电流应用中应合理设计散热方案,确保MOSFET在安全的温度下工作,避免过热。

  • 电流和电压的限制:在设计电路时,需确保工作在该传感器的最大电流和电压限制以内,以保持长期稳定运行。

结论

2N60G-LC1-AA3-R 是一款性能优越、应用广泛的MOSFET,凭借其优秀的电气性能和散热能力,适合用于各种要求高效能的电子应用中。其普遍适用的特性使得其能在多个行业中发挥关键作用,是设计师实现先进电子产品的理想选择。