功率(Pd) | 2.3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 2.3pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V,1A |
工作温度 | -40℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.8nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 600V | 输入电容(Ciss@Vds) | 285pF |
连续漏极电流(Id) | 2A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
2N60G-LC1-AA3-R 是由 UTC(友顺)公司生产的一款高性能场效应管(MOSFET),封装形式为 SOT-223,这种封装结构使得其适用于多种电子应用,尤其是在空间受限的情况下,能够有效节省电路板空间。同时,凭借其出色的电气特性,2N60G-LC1-AA3-R 被广泛用于开关电源、电机驱动以及其它高频率开关应用中。
高效率: 2N60G-LC1-AA3-R 的设计使其在进行高频开关时损耗较低,适合用于高效率的电源转换电路,能够有效降低发热并提升系统的整体性能。
抗干扰能力强: 该MOSFET具有很好的抗干扰能力,能够在恶劣的工作环境下保证正常工作,提高系统的可靠性。
良好的热管理: SOT-223 封装具备较好的散热性能,适用于长时间连续工作,降低了因过热而导致的器件失效风险。
2N60G-LC1-AA3-R 适用于多种电子电路和系统,包括但不限于:
开关电源(SMPS): 由于其高电压和高电流特性,2N60G-LC1-AA3-R 可作为开关电源中的开关元件有效控制能量传输,提升电源转换效率。
电机驱动: 在直流电动机和步进电机的驱动电路中,2N60G-LC1-AA3-R 可实现快速开关控制,保证电动机的响应速度和转矩输出。
LED驱动: 在LED照明应用中,2N60G-LC1-AA3-R 可用于PWM调光模式,提供高效稳定的驱动电流,提升LED的发光效率。
电源管理系统: 在各种电子设备中,2N60G-LC1-AA3-R 也可以用于电源管理系统,帮助实现电源的开关和分配,提高系统的智能化和节能效果。
在使用 2N60G-LC1-AA3-R 时需特别注意以下几点:
适当的驱动电压:确保栅极的驱动电压在推荐的范围内,以避免因过高或过低的电压造成MOSFET损坏。
热管理:在大电流应用中应合理设计散热方案,确保MOSFET在安全的温度下工作,避免过热。
电流和电压的限制:在设计电路时,需确保工作在该传感器的最大电流和电压限制以内,以保持长期稳定运行。
2N60G-LC1-AA3-R 是一款性能优越、应用广泛的MOSFET,凭借其优秀的电气性能和散热能力,适合用于各种要求高效能的电子应用中。其普遍适用的特性使得其能在多个行业中发挥关键作用,是设计师实现先进电子产品的理想选择。