FDMS6673BZ
FDMS6673BZ参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15.2A（Ta），28A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.8 毫欧 @ 15.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 130nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5915pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），73W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
FDMS6673BZ手册
FDMS6673BZ概述
FDMS6673BZ 产品概述
FDMS6673BZ 是一种高性能的 P 通道 MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动和其他需要高效率、高密度的电力应用。由安森美（ON Semiconductor）制造，FDMS6673BZ 采用 8-PQFN（5x6mm）封装，具有显著的散热性能和紧凑的尺寸，使其适合于现代电子设备的设计需求。
核心参数
FDMS6673BZ 的经过优化的电气参数使其在高电压和高电流应用中表现出色。其漏源电压（Vdss）额定为 30V，适合于低至中压应用。该 MOSFET 在 25°C 环境温度下的持续漏极电流（Id）为 15.2A，而在更高的结温（Tc）条件下，其可支持高达 28A 的漏电流。这种高电流性能为设计者提供了更大的灵活性，以应对各种应用场景。
导通电阻与驱动电压
FDMS6673BZ 的导通电阻（Rds On）具有卓越的低值，达到 6.8 毫欧（在 10V 的栅极驱动电压下，漏极电流为 15.2A）。低导通电阻有助于降低功耗并提升工作效率，从而增加系统的整体性能。此器件适配于多种驱动电压，分别为 4.5V 和 10V，确保其在不同设计方案中均能顺利工作。
另外，FDMS6673BZ 的栅极阈值电压（Vgs(th)）在 3V 时达到最大值（针对 250µA 的漏电流），而其栅极电荷（Qg）在 10V 时为 130nC，这两个参数是影响其开关速度和效率的重要指标。低栅极电荷意味着较快的开关速度，这对高频应用尤为重要。
热性能和环境适应性
FDMS6673BZ 的热性能同样令人印象深刻，其在环境温度下的最大功耗为 2.5W，而在结温下可承受的最大功率达到 73W。广泛的工作温度范围为 -55°C 至 150°C (TJ) 提供了良好的环境适应性，使得该元器件可以在严苛的工业应用和高功率条件下安全、可靠地工作。
驱动与应用
FDMS6673BZ 适合多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：高效率和快速开关速度使其成为开关电源电路的理想选择。
- 电动机控制：可在电动机驱动电路中提供高流量和高电压的支持。
- 电池管理系统：在电池充电和放电过程中提供精准的电流控制。
- LED 驱动：适合用于高功率 LED 驱动器，确保高色彩一致性和亮度。
结论
FDMS6673BZ 是一种出色的 P 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流处理能力和优良的热性能，使其在各种电源和驱动应用中名列前茅。这些特性结合紧凑的封装设计，使得 FDMS6673BZ 成为现代电子设备设计中不可或缺的元器件之一。无论是电源设计工程师还是应用开发人员，FDMS6673BZ 都能提供优异的性能支持，提升产品的整体效率和可靠性。