NLAS3158MNR2G
NLAS3158MNR2G参数
| 开关电路 | SPDT | 多路复用器/解复用器电路 | 2：1 |
| 电路数 | 2 | 导通电阻（最大值） | 13 欧姆 |
| 通道至通道匹配 (ΔRon) | 150 毫欧 | 电压 - 电源，单 (V+) | 1.65V ~ 5.5V |
| 开关时间 (Ton, Toff)（最大值） | 5.2ns，3.5ns | -3db 带宽 | 250MHz |
| 电荷注入 | 7pC | 沟道电容 (CS(off)，CD(off)) | 2.3pF |
| 电流 - 漏泄 (IS(off))（最大值） | 100nA | 串扰 | -54dB @ 10MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 12-WFDFN | 供应商器件封装 | 12-WDFN (3x1) |
NLAS3158MNR2G手册
NLAS3158MNR2G概述
产品概述：NLAS3158MNR2G
一、产品简介
NLAS3158MNR2G是一款由安森美（ON Semiconductor）公司推出的集成电路，其主要功能是作为模拟开关和多路复用器。该器件采用12-WDFN（3x1）封装设计，适用于多种电子应用场景，兼具高性能和较小的外形，适合现代紧凑型设计要求。
二、基本特性
NLAS3158MNR2G的主要参数包括：
开关类型：单刀双掷(SPDT)开关，配备2:1多路复用器。因此，该器件支持在两个输入信号之间进行切换，能够有效简化电路设计和信号选择。
电源电压范围：该IC的工作电压范围为1.65V至5.5V，允许在各种低压电源下稳定工作，广泛适用在便携、低功耗设备中。
导通电阻：该器件的最大导通电阻为13Ω，确保在导通时信号损耗最小，保持高信号完整性。
开关时间：NLAS3158MNR2G的开关延迟极短，开启时间（Ton）最大为5.2纳秒，关闭时间（Toff）最大为3.5纳秒，适合高速开关应用。
带宽和电容：其-3dB带宽可达250MHz，且沟道电容（CS(off)和CD(off)）为2.3pF，有助于良好的信号传输特性，适用于高频信号的处理。
电流泄漏：最大漏电流为100nA，确保在关断状态下的能源消耗极低，符合环保设计要求。
温度适应性：NLAS3158MNR2G的工作温度范围为-55°C到125°C，适应各种严苛环境，尤其适合于工业和汽车应用。
串扰性能：在10MHz时，串扰达到了-54dB，表明该器件在多通道工作时能够有效地隔离信号，降低干扰。
三、应用场景
NLAS3158MNR2G广泛应用于多个领域，以下是典型应用场景：
- 音频信号切换：能够在不同音频源间进行快速切换，提升音质和用户体验。
- 数据选择：可用于选择不同的数据输入，例如在传感器和微控制器间切换信号。
- 便携式设备：由于其低功耗特性，该器件特别适合于电池供电的便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑及其他移动设备。
- 工业控制：在工业自动化系统中，该开关用于信号路由和多路信号选择，可提高系统的灵活性与响应速度。
四、总结
NLAS3158MNR2G是安森美推出的一款高性能模拟开关和多路复用器，具有众多优良特性，如极低的功耗、快速的开关时间、宽的带宽和低的泄漏电流，使其成为多种电子应用理想的选择。其小型封装和强大的功能，使其特别适合于现代高密度电路设计，推动电子产品向更高性能和更优能效的发展。伴随对高集成度和高性能要求的不断提高，NLAS3158MNR2G将为设计师提供更大的设计灵活性和创新空间。