MBR2H200SFT1G

产品概述：MBR2H200SFT1G 肖特基二极管

1. 产品介绍

MBR2H200SFT1G是由安森美（ON Semiconductor）公司制造的一款高性能肖特基二极管，其设计目标是满足多种应用需求，特别适用于高效率的电源管理和整流电路。这款二极管采用SOD-123FL封装，具有出色的电气性能和优良的热稳定性，适合空间受限的应用场景。

2. 主要参数

• 二极管类型: 肖特基二极管
• 最大反向电压 (Vr): 200V
• 平均整流电流 (Io): 2A
• 正向电压 (Vf): 940mV @ 2A
• 反向泄漏电流: 200µA @ 200V
• 恢复速度: 快速恢复 ≤ 500ns，> 200mA（Io）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 封装类型: SOD-123FL
• 安装方式: 表面贴装型

3. 产品特点

3.1 低正向电压降

MBR2H200SFT1G二极管在工作时表现出极低的正向电压降（940mV @ 2A），这使得它在高电流应用中具有更好的能效表现，降低了功耗和热损耗，从而提高了整体系统的效率。

3.2 高反向电压承受能力

本产品的最大反向电压为200V，使其能够适应多种高压应用场景，例如开关电源、DC-DC变换器以及逆变器等。该特性使其在不导致击穿的情况下能够有效地保护电路。

3.3 可靠性与耐温性

MBR2H200SFT1G的工作温度范围广泛（-55°C ~ 150°C），这意味着它可以在严苛的环境下工作，确保设备在不同的气候和温度条件下都能够保持稳定的性能。此外，其采用的高级制造工艺和可靠的封装设计提升了组件的耐用性和可靠性。

3.4 快速恢复特性

该肖特基二极管具备快速恢复能力，响应时间小于500ns，这使得其适合用于高频率开关电路。这一特性对于提高开关电源的效率和减少开关损耗尤为关键。

4. 应用领域

MBR2H200SFT1G特别适合用于各类电源管理单元、逆变器、LED驱动电路、马达驱动器等。由于其低损耗和高可靠性，它常用于以下几个领域：

• 开关电源（SMPS）
• 太阳能逆变器
• 电池充电器
• 电动汽车充电
• 家用电器

5. 结论

MBR2H200SFT1G肖特基二极管是一个结合了高性能与高可靠性的电子元器件，能够满足当今市场对节能、高效能和高稳定性的需求。无论是在电源管理、整流应用还是高频开关电路中，这款二极管都可以作为理想选择。考虑到其出色的电气特性与优异的环境适应能力，MBR2H200SFT1G定将为用户的设计与产品带来更大的价值和竞争优势。

通过选择MBR2H200SFT1G，您将能有效提升系统效能、降低能耗，并增强设备的整体可靠性，是实现高效，以及经济型设计的理想选择。