STD140N6F7

产品概述：STD140N6F7 N沟道MOSFET

一、产品简介

STD140N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道MOSFET。该器件具有较高的功率处理能力和出色的电气特性，适用于各种工业和消费类电子产品的电源管理、电机驱动以及开关电源等应用。这款MOSFET的主要特点包括高导通电流、低导通电阻和宽广的工作温度范围，使其能够在高负载条件下稳定工作。

二、技术参数

• 封装类型： DPAK (表面贴装型)
• 最大漏极电流（Id）： 80A（在Tc环境下）
• 最大漏源电压（Vdss）： 60V
• 导通电阻（Rds(on)）： 3.8 mΩ @ 40A，10V
• 驱动电压： 10V（最大Rds On时）
• 输入电容（Ciss）： 3100pF @ 30V
• 栅极电荷（Qg）： 55nC @ 10V
• 阈值电压（Vgs(th)）： 4V @ 250µA（最大值）
• 功率耗散： 134W（在Tc条件下）
• 工作温度范围： -55°C ~ 175°C
• 最大栅源极电压（Vgs）： ±20V

三、应用领域

STD140N6F7 MOSFET因其卓越的性能，在多个应用场景中表现出色：

1. 开关电源：其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于高效开关电源（SMPS），最大限度地减少能量损耗。
2. 电机驱动：在电机控制中，STD140N6F7能够提供必要的高电流输出，确保电机在负载变化时平稳运行。
3. 电池管理系统：由于其宽泛的工作温度范围，此MOSFET可以在艰苦的环境条件下工作，非常适合应用于电池管理和充电回路中。
4. 功率放大器：其高功率耗散能力，使得STD140N6F7能够用于高效功率放大器设计。

四、优势分析

• 低导通电阻：3.8 mΩ的导通电阻极大地提升了能效，降低了发热情况，可以提高系统的整体稳定性和可靠性。
• 高功率承载能力：134W的功率耗散能力允许这个器件在高负载条件下安全工作，为大功率应用提供了强有力的支持。
• 广泛的工作温度范围：-55°C到175°C的温度范围使得STD140N6F7可适用于多种极端环境，确保其在不同工作条件下都能良好运行。
• 易于集成：DPAK封装设计不仅适合表面贴装，还便于散热，易于与其他元件集成，简化了电路设计。

五、结论

STD140N6F7 N沟道MOSFET是一款出色的电子元器件，结合了高电流承载、低功耗和广泛的适应性，适合用于需要高可靠性和高效率的现代电子应用。无论是在工业、汽车，还是消费类电子产品中，STD140N6F7都可以提供可靠的解决方案，助力电子设计师和工程师应对日益复杂的电源管理需求。在选择适用的MOSFET时，STD140N6F7凭借其超强的性能表现，将是一个理想的选择。