FDMS86350 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FDMS86350

商品编码: BM0209704752
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
Power56
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) FDMS86350 Power(5x6)
库存 :
1385(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
10.95
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥10.95
--
100+
¥9.51
--
750+
¥8.66
--
1500+
¥8.32
--
3000+
¥8
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

FDMS86350参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)80V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25A(Ta),130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.4 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)155nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10680pF @ 40V
功率耗散(最大值)2.7W(Ta),156W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装Power56
封装/外壳8-PowerTDFN

FDMS86350手册

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FDMS86350概述

FDMS86350 产品概述

一、产品简介

FDMS86350是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能N通道MOSFET,旨在满足各种电源管理和功率控制应用的需求。该器件具有优良的电气特性以及宽广的工作温度范围,适用于要求高效率和低功耗的电子设备。

二、关键参数

  1. FET类型:N通道
  2. 技术:MOSFET(金属氧化物场效应管)
  3. 漏源电压(Vdss):最大可承受电压为80V,适合多种高电压应用。
  4. 漏极电流(Id):在25°C环境温度下,该器件的连续漏极电流可达25A,而在更高的散热条件下(Tc)可达到130A,显示出其优异的温度稳定性。
  5. 导通电阻:在10V的栅极驱动电压下,最大导通电阻为2.4毫欧,这有助于降低功耗并提升整体效率。
  6. 栅源电压:Vgs的最大额定值为±20V,为设备提供灵活的工作条件;同时在不同Id下的阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V(@250µA)。
  7. 栅极电荷:在栅极驱动电压为10V时,最大栅极电荷为155nC,意味着在开关频率较高的应用中,该器件能够快速响应,减少开关损耗。
  8. 输入电容:Ciss在40V时的最大值为10680pF,提供稳定的信号传输。
  9. 功率耗散:在环境温度(Ta)下,最大功率耗散为2.7W,而在结温(Tc)条件下最高可达156W,适合高功率应用。
  10. 工作温度范围:-55°C到150°C,保证在极端环境下的可靠性。

三、封装与安装

FDMS86350采用Power56封装形式,尺寸为5mm x 6mm,非常适合于紧凑的电路设计。其表面贴装型(SMD)设计使得器件能够轻松集成到现代PCB板中,提高了生产的自动化和效率。

四、应用领域

由于其卓越的性能,FDMS86350在电子元器件的多个领域都有广泛的应用,包括但不限于:

  1. DC-DC变换器:在开关电源中,FDMS86350可以实现高效的电压调节和转换,适用于移动设备、工控设备等。
  2. 电机驱动:其高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合于电机驱动应用,高效地控制电机功率。
  3. 电源管理:该器件能够有效应对大型电源系统的负载变化,为数据处理器和通信设备提供可靠的电源管理解决方案。
  4. LED驱动:在LED照明系统中,FDMS86350能够提供恒流驱动,确保LED的稳定和高效运行。

五、总结

FDMS86350是一款集成了高性能、低功耗以及宽工作温度范围的N通道MOSFET,适应性强,能够满足当今电子产品对高效稳定的需求。凭借其出色的电气参数和可靠的封装设计,FDMS86350使工程师能够在设计中更灵活地选择合适的元器件,从而加速产品的开发和上市。在未来的电子产品更新换代中,FDMS86350无疑将成为许多高效能系统的核心元件之一。