FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 80V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A(Ta),130A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 8V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.4 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 155nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 10680pF @ 40V |
功率耗散(最大值) | 2.7W(Ta),156W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Power56 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
FDMS86350是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能N通道MOSFET,旨在满足各种电源管理和功率控制应用的需求。该器件具有优良的电气特性以及宽广的工作温度范围,适用于要求高效率和低功耗的电子设备。
FDMS86350采用Power56封装形式,尺寸为5mm x 6mm,非常适合于紧凑的电路设计。其表面贴装型(SMD)设计使得器件能够轻松集成到现代PCB板中,提高了生产的自动化和效率。
由于其卓越的性能,FDMS86350在电子元器件的多个领域都有广泛的应用,包括但不限于:
FDMS86350是一款集成了高性能、低功耗以及宽工作温度范围的N通道MOSFET,适应性强,能够满足当今电子产品对高效稳定的需求。凭借其出色的电气参数和可靠的封装设计,FDMS86350使工程师能够在设计中更灵活地选择合适的元器件,从而加速产品的开发和上市。在未来的电子产品更新换代中,FDMS86350无疑将成为许多高效能系统的核心元件之一。