SBCP56T1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SBCP56T1G

商品编码: BM0209704659
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-223-3
包装 : 
-
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 1.5W 80V 1A NPN SOT-223-3
库存 :
147(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.18
按整 :
-(1-有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.18
--
50+
¥0.899
--
1000+
¥0.75
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

SBCP56T1G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)80V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)40 @ 150mA,2V
功率 - 最大值1.5W频率 - 跃迁130MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223-3

SBCP56T1G手册

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SBCP56T1G概述

SBCP56T1G 产品概述

1. 产品简介 SBCP56T1G 是安森美(ON Semiconductor)公司推出的一款高性能 NPN 晶体管,专为各种电子应用设计。作为一种常用的双极性晶体管(BJT),它具有优良的电流和电压特性,适合于高效开关和线性放大应用。这款晶体管的关键参数如最大集电极电流为 1A,集射极击穿电压可达到 80V,使其在多个电路中都能稳定工作。

2. 主要性能参数

  • 类型:NPN 晶体管,适用于负极开关和放大电路。
  • 最大集电极电流 (Ic):1A,意味着在高负载情况下依然稳健。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):80V,适用于高电压应用场景。
  • Vce 饱和压降:在特定工作条件下(如 50mA 和 500mA 时),最大饱和压降为 500mV,这有助于提升电路效率,降低功耗。
  • 最大集电极截止电流 (ICBO):100nA,表明在未导通状态下,漏电流极低,提升了电路的可靠性。
  • 最小直流电流增益 (hFE):在 150mA 和 2V 条件下,增益的最小值为 40,使得其增益性能良好,能够有效控制输出信号。
  • 功率最大值:1.5W,支持高功率应用而不易过热。
  • 频率 - 跃迁:可达 130MHz,适合用于高频开关和放大应用。
  • 工作温度范围:-65°C ~ 150°C(TJ),适合在严苛的环境中运行。

3. 封装与安装 SBCP56T1G 的封装采用 SOT-223-3 型,符合现代电子元器件的表面贴装技术要求。这种紧凑型封装不仅节省了板材空间,还能有效降低组装和焊接的工作难度,提升生产效率。其小型化设计也支持高密度电路板应用。

4. 应用领域 由于具备出色的电流和电压特性,SBCP56T1G NPN 晶体管广泛应用于:

  • 开关电源:作为开关元件能高效地控制电源的开关。
  • 功率放大器:可用在音频放大和射频应用中,提供增益和驱动能力。
  • 电机驱动:在各种电机控制电路中,提供开关功能。
  • 信号放大:用于音频信号处理以及传感器信号放大。
  • 家电设备:在各类家电中用作控制和驱动。

5. 设计优势 SBCP56T1G 的高性能特性使其在设计中具有多种优势:

  • 高效率:低饱和压降提升整体电路效率。
  • 高功率处理能力:1.5W 最大功率参数,支持多种负载应用。
  • 可靠性:低漏电流选项和宽工作温度范围,确保了在极端条件下的可靠性和持久性。
  • 节省空间:小型封装形式,便于高密度布局,有助于小型化设计需求。

6. 结论 综上所述,SBCP56T1G 是一款集高性能、低功耗和可靠性于一身的 NPN 晶体管,适合多种现代电子产品中的应用。其优越的电气性能和灵活的适用场景,使其成为电子设计工程师在选择元器件时的理想选择。通过利用 SBCP56T1G,设计师能够进一步提升产品性能、降低功耗并简化生产过程,满足市场对高性能电子产品的苛求。