NVD5C688NLT4G

NVD5C688NLT4G 产品概述

1. 产品简介

NVD5C688NLT4G 是 ON Semiconductor 公司生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），主要设计用于汽车及工业应用。其产品符合 AEC-Q101 认证标准，确保其在苛刻条件下的可靠性与稳定性。该元件拥有强大的电流处理能力与较低的导通电阻，使其适合用于各种高效电源管理和开关应用。

2. 主要参数

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 零件状态: 有源
• FET 类型: N 通道
• 封装形式: TO-252-3 (DPAK)
• 电气参数:
  • 电流（Id）: 25°C 时的连续漏极电流可达 17A（在 Tc 下）
  • 漏源电压（Vdss）: 最大 60V
  • 导通电阻（Rds(on)）: 在 10A 和 10V 下最大导通电阻为 27.4 毫欧
  • 驱动电压（Vgs）: 最大 4.5V 时为最小导通电阻，最大 10V
  • 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大为 2.1V（250µA）
  • 功率耗散: 最大传输功率为 18W（Tc）
  • 工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C（TJ）
  • 栅极电荷（Qg）: 最大 3.4nC @ 4.5V
  • 输入电容（Ciss）: 最大 400pF @ 25V

3. 应用场景

NVD5C688NLT4G 的高可靠性和优异性能使其适用于多种应用场景：

• 汽车电子: 用于电力驱动系统中，以支持高效的电源转换和管理，提高能效和减少损耗。
• 电源管理: 在DC-DC转换器中，作为开关元件使用，提高系统的转换效率。
• 电机驱动: 控制和驱动各种电机系统，包括无刷直流电机和步进电机。
• 负载开关: 用于各种负载的选择和切换，允许在不同状态之间快速切换，提高系统的灵活性。

4. 设计优势

NVD5C688NLT4G 在设计上具有许多优势，特别适合现代汽车电子和工业应用：

• 高效能: 通过低导通电阻，NVD5C688NLT4G 减少了在高电流工作下的功率损耗，提升系统整体能效，降低热量发散。
• 广泛的工作温度范围: 它的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，极大地满足了在极端环境下的应用需求，如汽车发动机舱及其他恶劣环境。
• 坚固的封装: DPAK 封装设计，提高了散热性能，并且适合表面贴装，便于自动化生产，提高了生产效率。
• 兼容性: 该器件也适用于广泛的驱动电压，适应多种系统设计，只需简单集成即可。

5. 结论

总体来说，NVD5C688NLT4G 是一款适用于高电流、高效率应用的MOSFET。其广泛的应用范围，优良的性能和稳定性，使其在汽车和工业领域得到广泛认可。通过选择 NVD5C688NLT4G，设计工程师可以在提高系统效能的同时，保证可靠的工作性能，助力产品的市场竞争力。无论是电源管理、负载开关还是电机驱动，这款场效应管都能够提供理想的解决方案。