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产品参数
产品手册
产品概述
STP24NM60N参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 46nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP24NM60N手册
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STP24NM60N概述
STP24NM60N 产品概述
一、产品概述
STP24NM60N 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有出色的电气性能和多种应用场景。这款器件特别适用于高压和高电流的操作环境，广泛应用于开关电源、电动机控制、照明驱动等电力电子领域。
二、基本参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）
- 漏源电压 (Vdss): 600V，适合于高电压应用
- 连续漏极电流 (Id): 17A（在 25°C 时，热循环温度 Tc）
- 导通电阻 (Rds(on)):
- 最大值：190 毫欧 @ 8A，Vgs = 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)):
- 最大值：4V @ 250µA，不同 Id、Vgs 时的参数
- 栅极载荷电荷 (Qg):
- 最大值：46nC @ 10V，确保快速开关性能
- 最大栅源电压 (Vgs): ±30V
- 输入电容 (Ciss):
- 最大值：1400pF @ 50V，有助于降低驱动功率
- 功率耗散（最大值）: 125W（在 Tc 下测得）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ），适合多种环境条件
- 安装类型: 通孔，便于在不同电路板上集成
- 封装类型: TO-220-3，提供良好的散热性能并简易安装
三、应用场景
STP24NM60N 的设计使其适合于多种应用，包括但不限于：
- 开关电源: 该MOSFET能够处理高达600V的电压，使其成为高效率开关电源的理想选择，适用于计算机、通讯设备和消费电子等领域。
- 电动机控制: 其高达17A的连续漏极电流能力，使得它能够在电动机驱动中改善电流控制性能，实现灵活的马达控制解决方案。
- 灯光驱动: 在LED驱动和其他照明方案中，这款器件能够以较小的导通电阻及高电压性能，满足现代照明系统的高效能要求。
- 变频器应用: 由于其高续流能力和稳定性，STP24NM60N 适用于变频器中作为开关元件。
四、优势与特性
- 高效能: 采用先进的MOSFET技术，STP24NM60N能够有效减少开关损耗，提供更高的效率。
- 低导通电阻: 较低的Rds(on)允许较小的功率损耗，适合要求高效率的应用。
- 可靠性: 具备宽广的工作温度范围和较高的功率耗散能力，确保在恶劣环境中的可靠性和长期稳定性。
- 优良的热管理: TO-220封装设计支持有效的散热，增强器件的可靠性。
五、总结
STP24NM60N 是一款具备高漏源电压和电流能力的 N 沟道 MOSFET，能够满足现代电力电子设计的严苛要求。从开关电源到电动机控制，甚至照明驱动，其广泛的应用特性和优秀的电性能使其成为了众多设计工程师的优选。借助其稳定性和高效率，STP24NM60N 将助力于开发更智能、高效的电力电子产品。