IRFB7730PBF
IRFB7730PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.6 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 407nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13660pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB7730PBF手册
IRFB7730PBF概述
IRFB7730PBF 产品概述
IRFB7730PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET，由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）设计和生产，专为高效率电源应用和高功率电路而开发。其主要特性包括较高的漏源电压、强大的漏电流承载能力以及优异的导通电阻表现，使其在各种工业和商业应用中表现出色。
关键规格与参数
FET 类型: N 通道
- N 通道 MOSFET 通常用于高侧开关应用，具有较低的导通电阻，这使得它们在方波驱动的条件下表现更加高效。
技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- MOSFET 技术凭借其快速开关速度和较低功率损耗，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动器等领域。
漏源电压 (Vdss): 75V
- 支持高达 75V 的漏源电压，使其适用于各种中低压应用。
最大连续漏极电流 (Id): 195A（在 Tc = 25°C 时）
- 可持续承载高达 195A 的电流，在需要大电流传输的应用场景中具有优越表现。
导通电阻 (Rds On): 最大 2.6 毫欧（在 100A 和 Vgs = 10V 条件下）
- 极低的导通电阻在高负载条件下能够减少功率损耗并提升系统效率，特别适合高电流电源应用。
栅极驱动电压 (Vgs): 最大 ±20V
- 在更广泛的栅极驱动电压下能够确保可靠的开关性能，兼容多种控制电路。
输入电容 (Ciss): 最大 13660pF（在 25V 条件下）
- 输入电容较大带来良好的开关特性和抑制高频噪声的能力。
栅极电荷 (Qg): 最大 407nC（在 10V 条件下）
- 栅极电荷值适中，适合快速开关和PWM控制，能够提高工作频率并降低驱动损耗。
功率耗散: 最大 375W（在 Tc 状态下）
- 可以承受较高的功率损耗，适用于高负载条件下的长时间工作。
工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C
- 宽广的工作温度范围适合不同的环境条件，特别是在极端温度环境下也可正常工作。
封装类型: TO-220AB
- TO-220 的封装为散热提供优越的性能，确保在高功率应用中有效管理器件温度。
应用领域
IRFB7730PBF MOSFET 因其卓越的电气性能和可靠性，被广泛应用于以下领域：
电源管理: 适用于开关电源、DC-DC 转换器及各种充电器，在降低功率损耗、提高转换效率方面发挥重要作用。
电机驱动: 广泛应用于直流电机、步进电机及伺服电机的驱动和控制，优秀的瞬态响应能力可实现高效平稳的控制。
电力电子: 用于逆变器、整流器等电力电子设备，为可再生能源系统（如太阳能和风能）提供高效率的解决方案。
消费电子: 在高可靠性的家电和消费电子产品中也有应用，以满足高电流和高频率的需求。
结论
IRFB7730PBF 是一款结合高性能与高可靠性的 N 通道 MOSFET，凭借其强大的电流承载能力和卓越的导通性能，满足现代电源管理和电动控制领域的多重需求。其广泛的应用场景和优越的技术特性，使其成为各种高功率应用中理想的选择，确保用户在各种应用环境中的高效且稳定的性能表现。