NVD5C464NT4G
NVD5C464NT4G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Ta），59A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.8 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200pF @ 25V | 基本产品编号 | NVD5C4 |
NVD5C464NT4G手册
NVD5C464NT4G概述
产品概述：NVD5C464NT4G - ON Semiconductor N沟道MOSFET
制造商概述
NVD5C464NT4G是一款由ON Semiconductor（安森美）制造的高性能N沟道MOSFET，属于其汽车应用系列（Automotive, AEC-Q101）。该系列产品适合在极端条件下使用，遵循汽车电子部件的严格标准，确保其在高度可靠性和稳定性的应用中表现优异。
基本参数与性能
NVD5C464NT4G采用表面贴装型DPAK封装（TO-252-3），这种封装格式非常适合需要小型化和高散热性能的应用。该器件的额定工作温度范围为-55°C至175°C，能够满足汽车环境中可能遇到的各种极端温度条件。
该MOSFET的连续漏极电流（Id）在环境温度25°C时可达16A，在更高的散热条件下（Tc=25°C时）可达到最大59A，展示了其强大的电流承载能力。这使得NVD5C464NT4G在电流需要高的应用中，尤其是在电动汽车和混合动力汽车中非常适用。
电阻与电压特性
在MOSFET设计中，导通电阻（Rds(on)）是一个重要参数，直接影响器件的功耗表现。在本产品中，最大导通电阻为5.8毫欧（Rds(on) @ 30A, Vgs=10V），这意味着在高电流操作时，其功率损耗将保持在较低水平。通过优化电压驱动，NVD5C464NT4G支持高达±20V的栅源电压（Vgs），为电路设计提供了更大的灵活性。
该MOSFET的阈值电压（Vgs(th)）最大为4V（@250µA），这意味着该器件适合在较低的栅电压下快速导通，适用于高效率的开关模式电源或用于逆变器中的功率开关。
功率耗散能力
在功率管理应用中，器件的功率耗散能力至关重要。NVD5C464NT4G的最大功率耗散为3W（环境温度下）和40W（在良好散热条件下），这使其能够有效处理高功率负载并提高整体系统的可靠性。
电容特性
该器件的输入电容（Ciss）在25V条件下最大为1200pF，而栅极电荷（Qg）在10V驱动下最大为20nC。这些参数反映了器件在开关操作时的响应速度，较低的电容特性使得NVD5C464NT4G在高频开关应用中能够快速响应，从而减少开关损耗。
应用场景
NVD5C464NT4G适用于多种汽车电子控制和电源管理应用，包括但不限于：
- 电动和混合动力汽车中的电源转换器
- 电动驱动系统
- DC-DC变换器
- 输出开关
- 无刷电机驱动
此外，该MOSFET也适合于消费电子、工业电源及其他高可靠性要求的应用领域，因其卓越的性能和稳定性可以满足严苛的工作环境要求。
总结
NVD5C464NT4G是一款高效、可靠且功能强大的N沟道MOSFET，具备出色的电流承载能力和低导通电阻。其特殊设计满足汽车行业的要求，能够在恶劣环境条件下工作。凭借其优异的热性能和快速开关能力，该器件广泛适用于各种电源管理和开关应用，是现代电子电路设计中不可或缺的核心元件之一。