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NTD20N06LT4G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
TO-252-3
包装 :
编带
重量 :
0.438g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.36W 60V 20A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
5883(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
5.56按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.56
--
100+
￥4.63
--
1250+
￥4.21
--
2500+
￥3.9
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
NTD20N06LT4G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 48 毫欧 @ 10A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.36W（Ta），60W（Tj） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 990pF @ 25V |
| 基本产品编号 | NTD20 |
NTD20N06LT4G手册
无数据
NTD20N06LT4G概述
产品概述：NTD20N06LT4G N通道MOSFET
1. 引言
NTD20N06LT4G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N通道MOSFET，广泛应用于各种电子设备中。这款MOSFET以其优异的电流承载能力、低导通电阻和高工作温度范围而著称，是电源管理、开关电路和其他高效电路设计中的理想选择。
2. 基本参数
- 制造商：ON Semiconductor
- 封装类型：DPAK（TO-252-3），适用于表面贴装设计
- 类型：N通道MOSFET
- 电流承载能力：连续漏极电流为20A（在25°C环境温度下）
- 源漏电压（Vdss）：最大60V
- 功率耗散：在35°C环境下可承受的最大功率为1.36W，结温下限为60W
- 工作温度范围：-55°C至175°C，适合于高温环境下的应用
3. 关键电气参数
- 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs=5V时，最大值为48毫欧（在10A电流下）。这一低导通电阻使其在开关应用中具有较低的功耗和热量产生。
- 栅极电压阈值（Vgs(th)）：最大值为2V（在250µA漏电流下），适用于低电压驱动的应用。
- 最大栅源电压（Vgs）：±15V，确保在不同工作条件下的安全和可靠性。
- 输入电容（Ciss）：最大值为990pF（在25V时），此参数有助于评估驱动MOSFET所需的栅驱动电流。
4. 工作特性
NTD20N06LT4G具有较好的开关性能，其栅极电荷（Qg）在Vgs=5V时最大值为32nC。这使得该MOSFET在快速开关应用中表现出色，从而减少了开关损耗并提高了系统效率。由于其低导通电阻与较高的电流承载能力，该产品特别适用于电机驱动、电源转换和高频开关电源等领域。
5. 应用场景
NTD20N06LT4G适合许多不同的应用场景，包括但不限于：
- 电源管理电路：能够在电源模块中有效控制电流，降低功耗，确保系统稳定。
- 电动机驱动：广泛应用于电动机控制电路中，助力各种自动化设备运行。
- 开关电源：在高效开关电源设计中，提供优秀的导通性能，减少能量损失。
- 家用电器：用于各种家用电器中的控制电路，提升产品的可靠性和能效。
- 通信设备：可用于调制解调器和其他通信设备中，确保信号的稳定传输。
6. 结论
NTD20N06LT4G是一款高性能的N通道MOSFET，具有出色的电气特性和宽广的应用范围。其低导通电阻、高电流承载能力及优异的热性能使其成为各类电子设备和系统中不可或缺的元件。无论是在电源管理、开关电源还是电动机控制等应用场景中，NTD20N06LT4G都能提供稳定、高效的操作性能，为电子设计工程师提供了强有力的支持。这款MOSFET不仅提升了系统的能效，也为设计提供了更大的灵活性和选择空间。