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NVR5198NLT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.03g
描述 :
场效应管(MOSFET) 900mW 60V 1.7A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.21按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.21
--
200+
￥0.925
--
1500+
￥0.805
--
3000+
￥0.699
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
NVR5198NLT1G参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 155 毫欧 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.1nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 182pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 900mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
NVR5198NLT1G手册
无数据
NVR5198NLT1G概述
NVR5198NLT1G 产品概述
一、产品基本信息
NVR5198NLT1G 是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由安森美（ON Semiconductor）公司生产，封装类型为SOT-23-3（TO-236）。该 MOSFET 的设计旨在提供优异的导通特性和高效的电源管理解决方案，广泛应用于开关电源、马达驱动和其他高效能电路中。
二、关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 该器件最大漏源电压为60V，使其适合于多种中高压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在25°C的环境温度下，这款MOSFET能够承受1.7A的连续漏极电流，保证了器件在负载变化下的稳定性。
- 导通电阻 (Rds On): 在10V的栅极驱动电压下，当漏极电流为1A时，导通电阻最大为155毫欧，提供低功耗和高效能的电气特性。
- 驱动电压 (Vgs): 对于实现最佳性能，该器件支持的驱动电压包括4.5V和10V，能够在不同的应用场合中，保持良好的开关特性。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 该参数的最大值为2.5V，表示当栅极电压达到此阈值时，器件将开始导通。
- 功率耗散 (Pdiss): 器件的最大功率耗散为900mW（Ta），这保证了器件在工作状态下不会因过热而失效。
- 工作温度范围: NVR5198NLT1G的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C（TJ），适用于严酷的工业环境。
三、特性和应用
NVR5198NLT1G的设计注重性能与可靠性，其高温操作能力确保了在极端环境中的可靠工作。主要应用包括但不限于：
- DC-DC转换器: 在切换电源中，NVR5198NLT1G可作为主要的开关元件，提升能源转化效率，降低能量损耗。
- 电动工具和马达控制: 其低导通电阻使得电动马达的驱动更加高效，同时减少发热，提高系统的整体性能。
- 消费电子产品: 高效能和小封装设计，使其非常适合用于手机、平板等便携式电子设备。
- 照明系统: 在LED驱动电路中，该MOSFET可用于提高光效，延长灯具使用寿命。
四、封装及安装
NVR5198NLT1G采用的SOT-23-3封装 (TO-236) 是一种广泛应用于表面贴装技术（SMT）的标准封装，便于在现代电子设备中实现高密度电路设计和自动化焊接。同时，SOT-23封装的尺寸小，适合于空间有限的应用场合，有助于提升整体产品的设计灵活性。
五、总结
NVR5198NLT1G MOSFET 是一款性能优良、应用广泛的N沟道器件，结合其高温操作能力、低导通电阻和出色的电流承载能力，适合各类电源管理和开关应用。安森美（ON Semiconductor）的专业设计和制造工艺确保了该MOSFET在现代电子电路中的可靠性与高效性，将为各类产品的开发及应用带来帮助。针对不同的工程需求，设计师可利用其丰富的电气特性，灵活布局，设计出更具竞争力的电子产品。