NVTFS5116PLWFTAG

产品概述：NVTFS5116PLWFTAG

一、基本信息

NVTFS5116PLWFTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美）制造的 P 沟道MOSFET（场效应管），采用先进的金属氧化物半导体技术（MOSFET）。该器件属于高性能电源管理领域，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动以及其他需要高效能和高密度的电子设备中。其型号 NVTFS5116PLWFTAG 提供了卓越的电气性能和宽广的工作温度范围，适合严苛环境下的应用。

二、技术参数

1. 额定电流和电压：

   • 该 MOSFET 在 25°C 环境下具有连续漏极电流（Id）达到 6A，能够在高负载条件下稳定运行。
   • 最大漏源电压（Vds）为 60V，使其适合用于多种电压级别的电源管理应用。

2. 导通电阻：

   • 在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值为 52 毫欧 @ 7A，提供了较低的导通损耗，提升了能效。

3. 栅极阈值电压：

   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 3V，适合低电压驱动应用，确保能在较低的栅极电压下开启。

4. 功率耗散：

   • 该器件在环境温度下的最大功率耗散为 3.2W，而在结温（Tc）下则可达到 21W，适用于高功率密度的设备设计。

5. 工作温度范围：

   • NVTFS5116PLWFTAG 的工作温度范围广泛，从 -55°C 至 175°C，适应各种严苛的环境条件，尤其适合工业和汽车应用。

6. 封装与安装类型：

   • 采用 8-WDFN（3.3x3.3）封装，属于表面贴装型（SMD），适合现代电子设备的紧凑型设计，提高了散热性能和电路密度。

7. 驱动电压与电荷特性：

   • 驱动电压有 4.5V 和 10V 两种选择，适应不同系统的需求。
   • 栅极电荷（Qg）在 10V 状态下最大值为 25nC，确保快速开关响应，适合高频开关应用。

8. 输入电容：

   • 在 25V 时输入电容（Ciss）最大值为 1258pF，良好的电容特性使其在动态开关操作中表现出色。

三、应用领域

NVTFS5116PLWFTAG 主要用于以下领域：

• 计算机和通信设备：在开关电源和稳压电源中提供高效率的电力转换。
• 工业自动化：作为驱动元件用于马达控制和其他自动化设备中。
• 汽车电子：适应汽车环境的严苛要求，用于电源管理模块、马达驱动和 LED 照明控制等应用。
• 消费电子：在各种便携式设备、充电器和电源适配器中用于高效电源转换。

四、总结

在现代电子设计中，能够有效处理电能的元器件变得愈加重要。NVTFS5116PLWFTAG P 沟道 MOSFET 以其强大的电流承载能力、低导通电阻、高功率处理能力及宽广的应用温度范围，成为各种高性能电源和驱动系统的理想选择。这款 MOSFET 不仅提升了产品的整体效率，还有助于提升系统的稳定性和可靠性，是推进电子设备进步的重要基础器件。