制造商 | ON Semiconductor | 系列 | PowerTrench® |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.4A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 160 毫欧 @ 1.4A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SuperSOT-3 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.8nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 145pF @ 15V | 基本产品编号 | NDS351 |
NDS351AN是ON Semiconductor公司推出的一款高性能N通道MOSFET,属于其PowerTrench®系列。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,能够满足现代电子设计对空间和性能的双重要求。凭借其高效的电气特性,这款MOSFET在多种应用场景中展现出了优异的性能,是电子设计工程师的理想选择。
NDS351AN具有出色的电气性能,具体如下:
NDS351AN的优势使其成为多个应用的理想选择,包括但不限于:
使用NDS351AN的设计具有以下几个优势:
NDS351AN是一款功能强大且高效的N通道MOSFET,凭借其卓越的电气性能和广泛的应用场景,成为了电子设计领域的重要组成部分。无论是在高频开关还是高温环境中,NDS351AN都能保证稳定可靠的操作,帮助工程师在确保设备性能的同时,实现更为紧凑的设计和功能扩展。选择NDS351AN,即是选择了高效、可靠与灵活的电源管理解决方案。