安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 62 毫欧 @ 4.5A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 750pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 100V |
FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 2.5W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
FDS3992是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET),具有出色的电气特性与广泛的应用潜力。这种元件由知名品牌ON Semiconductor(安森美)生产,采用了8-SOIC封装,适合表面贴装技术,为现代电子设计提供了灵活的组装选项。
FDS3992的最大漏源电压(Vdss)为100V,连续漏极电流(Id)为4.5A,且在25°C的工作温度下,其导通电阻(Rds(on))的最大值为62毫欧。这意味着在正常工作条件下,FDS3992可以高效地传导电流,减少功率损耗,并确保器件的热性能良好。该设备的功率耗散最大为2.5W,允许其在适度负载条件下工作而不致损坏。
除了上述关键参数,FDS3992在电容特性方面也具有可观的表现。在25V的漏源电压下,其输入电容(Ciss)最大值为750pF,这使得FDS3992在高频应用中具备良好的响应能力。同时,其栅极电荷(Qg)在10V下的最大值为15nC,使得该元件在切换频率较高的情况下具有优良的开关特性。
FDS3992可在极宽的温度范围内工作,最低可达-55°C,最高可耐受150°C的环境条件。这一特性使得其适合应用于汽车、工业控制和其他要求高可靠性的应用场合。在极端温度下,优秀的热稳定性和导电性能是确保电子设备可靠运行的前提。
凭借其高压、高电流和低导通电阻的特点,FDS3992可广泛应用于各种电子电路中,包括但不限于:
FDS3992由ON(安森美)推出,是一款专为多种电子应用设计的高性能双N通道MOSFET。得益于其低导通电阻、高电压和高电流处理能力,加之宽广的工作温度范围,FDS3992在现代电子设备中展现出了极大的应用潜力。无论是在开关电源、电机驱动还是电池管理系统中,FDS3992均是优化电能转换效率、提升设备性能的重要组件。因此,对于设计师和工程师来说,FDS3992无疑是一个可靠的选择,能够满足他们在各种复杂应用环境中的需求。