注：图像仅供参考，请参阅产品规格
FDN304PZ
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SuperSOT-3
包装 :
编带
重量 :
0.03g
描述 :
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 2.4A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
4956(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.72按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.72
--
100+
￥1.37
--
750+
￥1.22
--
1500+
￥1.15
--
3000+
￥1.1
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
FDN304PZ参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1310pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
FDN304PZ手册
无数据
FDN304PZ概述
FDN304PZ 产品概述
一、产品简介
FDN304PZ 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为低压应用而设计，具有出色的导通性能和高效率。这款器件采用 SuperSOT-3 表面贴装封装，便于在各种电子设备中进行应用。凭借其较低的导通电阻和宽广的工作温度范围，FDN304PZ 是电源管理、开关电路和负载驱动等领域的理想选择。
二、主要特性
- FET 类型：P 通道（PMOS）
- 技术：金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）
- 漏源电压（Vdss）：最大 20V，适合于低压电源应用
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时可达 2.4A，为负载驱动提供了强大的电流支持
- 导通电阻（Rds On）：在 Vgs 为 4.5V，Id 为 2.4A 时，最大导通电阻为 52 毫欧，确保了低损耗和高效率的工作
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 1.5V @ 250µA，使得驱动电路设计更为灵活
- 栅极电荷（Qg）：最大值为 20 nC @ 4.5V，降低了驱动电路的功耗和损耗
- 输入电容（Ciss）：在 10V 的条件下，最大值为 1310 pF，保证了快速开关特性
- 功率耗散（Pd）：最大值为 500mW，为器件的可靠性提供了保障
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C，使得 FD304PZ 可在各种恶劣环境下稳定工作
三、应用场景
FDN304PZ 的应用场景广泛，主要包括但不限于：
- 电源管理：可用于实现高效的电源开关，确保电源设备在工作时的效率最大化。
- 负载开关：适合用作电流控制元件，通过控制栅极电压实现对负载的开关切换。
- LED 驱动：在 LED 照明和显示中提供可靠的电流控制，确保发光体的均匀亮度和长寿命。
- 低功耗设备：由于其低导通电阻和小的栅极电荷，该器件适合应用于需要高能效的低功耗电子产品，例如便携式设备和无线传感器。
四、封装与安装
FDN304PZ 采用 SuperSOT-3 封装，符合 TO-236-3、SC-59 和 SOT-23-3 尺寸标准。这种紧凑型封装设计不仅适合表面贴装技术（SMT），减小了整体电路板的尺寸，而且方便在自动化生产线上进行快速贴装和焊接。
五、总结
FDN304PZ 是一款高效、性能优越的 P 通道 MOSFET，具有广泛的应用领域。其优良的电气特性、高功率处理能力以及强大的耐温性使其成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，FDN304PZ 都能为设计工程师提供便捷和可靠的解决方案。通过使用 FDN304PZ，用户不仅可以提高产品性能，还能增加产品的市场竞争力。