注：图像仅供参考，请参阅产品规格
FDS8447
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
8-SOIC
包装 :
编带
重量 :
0.12g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 40V 12.8A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
5.56按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.56
--
100+
￥4.63
--
1250+
￥4.21
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
FDS8447参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.5 毫欧 @ 12.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 49nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2600pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
FDS8447手册
无数据
FDS8447概述
FDS8447 产品概述
一、产品简介
FDS8447 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），由 ON Semiconductor（安森美）公司设计和制造。凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，FDS8447 广泛应用于各种电子电路中，特别适用于电源管理、开关电路和驱动负载应用。
二、产品特性
电气参数:
- 漏源电压（Vdss）: FDS8447 的最大漏源电压为 40V，适合大多数低至中等电压的应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时，FDS8447 的连续漏极电流达到 12.8A，这使其能够承担较大的电流负载，适用于需要高电流的应用场合。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在栅极驱动电压为 10V 时，最大导通电阻为 10.5 毫欧，这确保了设备在高电流条件下的低功耗表现。
驱动电压与栅电荷:
- FDS8447 的栅驱动电压的范围为 4.5V 到 10V，支持多种工作条件。
- 在 10V 驱动下，栅极电荷（Qg）为 49nC，说明其切换速度快，适合高频开关应用。
器件阈值电压（Vgs(th)）: FDS8447 的最大栅源阈值电压为 3V，适合使用低电压控制信号，从而降低系统的复杂性和提升兼容性。
功率耗散: 该器件的功率耗散最大为 2.5W，能够在合理的温度下有效工作，不易过热。
宽广的工作温度范围: FDS8447 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其在恶劣的工作环境下也能保持良好的性能稳定性。
三、封装与安装类型
FDS8447 采用 8-SOIC 表面贴装型封装。这种封装形式不仅有助于节省 PCB 空间，还方便实现自动化生产和高效的热管理。8-SOIC 封装的尺寸为 0.154"（3.90mm 宽），适应各种电子产品的设计需求。
四、应用场景
FDS8447 的特性使其适用于多个应用领域，包括但不限于：
- 电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器以及电池管理系统中，FDS8447 能够高效能地转换电压并控制电流。
- 马达驱动: 由于其高电流承载能力，FDS8447 基于 MOSFET 技术可用于直流电机驱动，提供平稳的启停控制和反向旋转功能。
- LED 驱动: 在 LED 照明应用中，FDS8447 可实现高效的电流控制，为 LED 提供所需的准确电流供应。
五、总结
FDS8447 是一款性能出色的 N 通道 MOSFET，适用于自动化、工业控制和消费电子等多种应用场合。它凭借较高的电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围，能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。无论是在电源管理还是其他高效开关应用中，FDS8447 都是一个值得信赖的选择。选择 FDS8447，您将在设计中获得卓越的性能表现。