注：图像仅供参考，请参阅产品规格
FDD4141-F085
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
D-PAK（TO-252AA）
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) FDD4141-F085 TO-252
库存 :
2154(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
4.7按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.7
--
100+
￥3.92
--
1250+
￥3.56
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
FDD4141-F085参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.8A（Ta），50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12.3 毫欧 @ 12.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2775pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.4W（Ta），69W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-PAK（TO-252AA） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
FDD4141-F085手册
无数据
FDD4141-F085概述
产品概述：FDD4141-F085 MOSFET
1. 产品简介
FDD4141-F085是一款高性能的P沟道MOSFET，专为各种功率电子应用设计。此器件由知名厂商安森美半导体（ON Semiconductor）生产，采用表面贴装型D-PAK（TO-252AA）封装，具有优异的热管理特性和电气性能，适合在高温和高电流条件下工作。
2. 性能参数
FDD4141-F085具有以下核心性能参数：
- 漏源电压（Vdss）: 最大工作电压为40V，此功能使其适用于电源管理、负载开关及电机驱动等应用场景。
- 电流特性: 在标准环境下（25°C），其连续漏极电流为10.8A，在控制环境下可达到最大50A。这使得它能够承受高负载条件，非常适合高电流应用。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在10V的驱动电压下，其最大导通电阻为12.3毫欧（@12.7A），这一低导通电阻可以确保较低的功耗和热量生成，提高整体系统的效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA的最大阈值电压使得该MOSFET在低电压驱动下也能有效工作，确保其在不同应用环境的灵活性。
- 驱动电压: 最小的驱动电压为4.5V，而最大驱动电压可达10V使得它能兼容多种控制信号条件。
3. 功耗与散热管理
FDD4141-F085的最大功率耗散能力为2.4W（在常温下），在适当散热条件下则可支持达69W的功率耗散。这意味该器件在高功率应用时具有良好的散热性能，从而延长元器件的使用寿命，减少因过热导致的失效风险。
4. 工作环境与适用性
该MOSFET的工作温度范围从-55°C到150°C，广泛适用于汽车电子、工业控制、消费电子领域，及军工、航空航天等极端温度环境中，具有极强的适应能力和可靠性。
5. 封装与安装
FDD4141-F085采用D-PAK（TO-252AA）封装，具有紧凑、易于安装的优点。该封装支持表面贴装技术，使其容易集成于各类PCB设计中，有效降低产品体积和提升组件密度。
6. 应用场景
FDD4141-F085凭借其高效的电流承载能力和低导通电阻，广泛应用于：
- 电源管理：在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，可作为开关器件提高转换效率。
- 负载开关：可用于自动化设备的电源管理、控制电机的启停及电源切换等。
- 电机控制：适合用于直流无刷电机和步进电机的驱动。
- LED驱动：可高效驱动LED照明系统中的负载，提高整体照明效率。
7. 小结
总体而言，FDD4141-F085是一款多用途的P沟道MOSFET，结合了出色的电气特性、高效率及广泛的应用适应性。其耐高温、强负载特性及低导通电阻使其成为电力电子设计中的理想选择，适合用于推动现代电子产品的高效能需求。无论在工业应用、消费电子还是高温恶劣环境中，FDD4141-F085都能提供稳定、可靠的性能。