NJVMJD31CT4G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NJVMJD31CT4G

商品编码: BM0209587371
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
DDPAK-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.438g
描述 : 
三极管(BJT) 1.56W 100V 3A NPN TO-252-2(DPAK)
库存 :
4585(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.98
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.98
--
100+
¥1.53
--
1250+
¥1.32
--
2500+
¥1.25
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NJVMJD31CT4G参数

制造商ON Semiconductor系列Automotive, AEC-Q101
包装卷带(TR)零件状态有源
晶体管类型NPN不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.2V @ 375mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值)50µA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)25 @ 1A,4V
频率 - 跃迁3MHz工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装DPAK电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V功率 - 最大值1.56W
基本产品编号NJVMJD31

NJVMJD31CT4G手册

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NJVMJD31CT4G概述

NJVMJD31CT4G 产品概述

NJVMJD31CT4G是ON Semiconductor(安森美)推出的一款高性能NPN三极管,属于其汽车级产品系列(Automotive, AEC-Q101)。该系列元器件专为满足汽车应用领域的功率开关和放大需求而设计,其满足AEC-Q101认证标准,确保在严格的工作环境和高可靠性要求下稳定运行。该元器件适合应用领域包括汽车电子、工业控制和消费电子等,适用于对温度、耐压和功率有严格要求的电路设计。

主要规格

  • 制造商: ON Semiconductor(安森美)
  • 晶体管类型: NPN
  • 工作温度范围: -65°C ~ 150°C
  • 封装类型: TO-252-3/DPAK
  • 最大集电极电流 (Ic): 3A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 100V
  • 最大功率耗散: 1.56W
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 1.2V @ 375mA, 3A
  • 集电极截止电流 (Icbo): 50µA
  • 直流电流增益 (hFE): ≥25 @ 1A, 4V
  • 频率 - 跃迁: 3MHz

封装与安装

NJVMJD31CT4G采用DPAK封装,这种表面贴装型设计不仅提供了良好的热管理能力,还可以有效提高电路板的设计灵活性。DPAK封装的结构设计使其在电源应用中能够支持高功率及增强的电流承载能力,因此特别适合于需要快速开关能力和高效率的应用场合。

应用场景

  1. 汽车电子: NJVMJD31CT4G作为功率开关,适用于发动机控制单元、灯光控制及其他各类汽车电子设备。它能够保证在极端的工作条件下提供稳定的性能,满足汽车行业的高标准。

  2. 工业控制: 在工业自动化和电机驱动领域,该三极管的高电流处理能力和良好的开关特性,使其成为驱动和控制各种电气设备的理想选择。

  3. 消费电子: NJVMJD31CT4G同样适合在消费电子产品中作为信号放大器或开关元件,尤其是在涉及到音频和视频信号传输的应用中,可以确保信号的完整性和质量。

性能优势

  • 高温度耐受性: 该三极管支持宽广的工作温度范围 (-65°C到150°C),使其能够在极端环境下提供稳定的工作性能,特别适合汽车等高温应用场合。
  • 高功率密度: NJVMJD31CT4G的最大功率耗散能力达到1.56W,有效降低了设备在高负载条件下的故障率,从而提高了整体系统的可靠性。
  • 优秀的开关特性: 由于具备较低的饱和压降和较高的跃迁频率,该三极管能够在满足高效能的同时,减少功率损耗,提高电路的整体效率。

结论

NJVMJD31CT4G是ON Semiconductor推出的一款功能强大且稳定性高的NPN三极管,其适用于多种应用领域,尤其是在对电流和电压有重要要求的汽车电子及工业控制设备中表现出色。凭借其卓越的规格、强大的性能和高可靠性,NJVMJD31CT4G为设计工程师提供了一个理想的选择,以满足现代电子设备对高性能、长寿命及高效能的需求。