NVMFD5C680NLT1G
NVMFD5C680NLT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 5A，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.5A（Ta），26A（Tc） | FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 3W（Ta），19W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 13µA | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道） |
NVMFD5C680NLT1G手册
NVMFD5C680NLT1G概述
NVMFD5C680NLT1G 产品概述
NVMFD5C680NLT1G 是由安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能双N通道功率MOSFET阵列，专为各种低电压、高效率应用设计。其主要特性包括高导通能力、宽工作温度范围以及适合现代电子板设计的表面贴装封装形式。这款MOSFET在多个关键参数上表现卓越，使其成为功率转换器、电机驱动以及开关电源等应用的理想选择。
主要参数与特性
工作电压与电流
NVMFD5C680NLT1G 的漏源电压（Vdss）高达60V，支持多个工业应用。同时，其持续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）为25°C下可达7.5A，而在芯片温度（Tc）下可达到26A。这使得该MOSFET能在不影响性能的情况下，处理较高的瞬时电流。导通电阻与能效
该器件在5A、10V条件下的最大导通电阻为28毫欧，给予设计者卓越的能效和热管理。这意味着在工作时，即使在较高负载条件下，该元件也能够保持较低的热生成，有利于提高整个电路的可靠性。栅极特性
本型号在4.5V的条件下，栅极电荷（Qg）最大为2nC，能够有效减小开关损耗并提高系统的开关效率。同时，在极低的13µA漏电流条件下，其栅极阈值电压（Vgs(th)）仅为2.2V，这有助于在较低驱动电压下实现MOSFET的快速导通。输入电容与频率响应
NVMFD5C680NLT1G 在25V下的输入电容（Ciss）最大值为350pF，这确保了其在高频应用中的良好工作性能，适合于开关频率要求较高的电路设计。工作温度范围
该MOSFET的工作温度范围从-55°C到175°C，使其在极端环境条件下也能稳定工作，这对于汽车电子、航空航天和工业控制等严格应用场景至关重要。封装与安装类型
NVMFD5C680NLT1G采用8-PowerTDFN（5x6 mm）表面贴装型封装，具有较小的体积和良好的热管理特性，适应现代电子设计对空间和散热的双重要求。此外，该型MOSFET便于自动化贴装，提高了生产效率。
应用场景
NVMFD5C680NLT1G 的应用领域非常广泛，主要包括但不限于：
- DC-DC 转换器：在电源管理模块中用作开关元件，提高转换效率。
- 电机驱动：在电动机控制领域，通过高频率开关实现精确控制。
- 汽车电子：适合用于电源开关、灯光控制及电动助力转向系统等，充分体现其高温耐受性与可靠性。
- 工业控制：在各类工业自动化设备中，作为开关元件或驱动器件。
结论
总的来说，NVMFD5C680NLT1G 是一款高效能的双N通道功率MOSFET，其优异的电流承载能力、低导通电阻、宽温度范围以及紧凑的封装设计，使其成为现代电子设备和系统中不可或缺的基础组件。无论是在高效能电源设计还是在汽车及工业应用中，NVMFD5C680NLT1G 都展现出了卓越的性能和可靠性，是设计师实现产品高效、可靠运行的理想选择。