驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.9V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 350mA,650mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 200V | 上升/下降时间(典型值) | 60ns,30ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
FAN7842MX 是一款高性能的半桥驱动芯片,专为驱动 N 沟道 MOSFET 和 IGBT 设计,适用于各种电力电子应用,包括但不限于电机驱动、电源转换、逆变器和其他高电压驱动场合。该产品由安森美(ON Semiconductor)公司出品,其卓越的性能和宽广的工作范围使其成为工业应用中的理想选择。
驱动配置与通道类型
FAN7842MX 采用半桥配置,能够独立驱动两个功率开关器件,提供了高度的灵活性与控制。每个通道均可独立操作,这意味着用户可以根据自身需求进行灵活设计,适应不同的负载情况。
电源与逻辑电压
该芯片的供电电压范围为 10V 至 20V,逻辑电压范围为 0.8V(VIL)至 2.9V(VIH),适用于大多数低功耗数字电路。这一逻辑电压范围确保了芯片能与多种数字控制信号兼容,增强了系统的集成能力。
输出电流能力
FAN7842MX 具备强劲的输出能力,峰值输出电流分别为 350mA(灌入)和 650mA(拉出),能够快速驱动高压侧的功率开关器件。在电力电子应用中,快速响应的驱动器可以有效减少开关损耗,提升系统整体效率。
高压侧电压
该驱动器支持高达 200V 的自举电压,能够有效驱动高电压、大功率的 IGBT 或 N 沟道 MOSFET。这为高压场合的应用提供了可靠的解决方案,满足了现代电力电子对高耐压器件的需求。
开关时间
FAN7842MX 的上升和下降时间分别为 60ns 和 30ns。快速的开关时间使得驱动信号能够迅速切换,大幅降低了开关损耗,进而提升了效率,减少了发热,这在高频应用中尤其重要。
环境适应性
该芯片具有较宽的工作温度范围,从 -40°C 到 150°C ,这使得它在极端环境中仍能稳定工作,适应了工业应用和汽车电子的需求。
封装与安装方式
FAN7842MX 采用表面贴装型SOIC-8封装,尺寸为 3.90mm 宽,便于在空间有限的应用中使用。其出色的封装设计提供了良好的电气性能和散热性能,有利于在密集的电路板布局中保持可行性。
FAN7842MX 被广泛应用于电机驱动、开关电源、太阳能逆变器、DC-DC转换器等领域,能够驱动各类功率开关模块。凭借其高电压输出和良好的开关特性,该芯片成为高效能电源管理和控制系统构建的关键组件。
综上所述,FAN7842MX 驱动芯片凭借其独特的设计、卓越的性能和宽广的应用范围,在电力电子行业中展现出了极大的潜力。其高效的驱动能力、快速的开关时间以及宽温工作范围使其成为现代电力系统设计中的优选解决方案。无论是用于工业自动化、可再生能源还是消费电子领域,FAN7842MX 都能提供稳定可靠的性能,为用户的产品设计增添竞争力。