制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 2mA,20mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 250nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 40 @ 30mA,10V | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 300V |
功率 - 最大值 | 1.5W | 基本产品编号 | PZTA92 |
制造商与品牌
PZTA92T1G 是 ON Semiconductor(安森美)制造的一款高性能 PNP 晶体管。这款器件专为满足各种电子应用的需求而设计,在今天的电子产品中显示出其优越的性能和可靠性。
产品类型与规格
PZTA92T1G 属于双极型晶体管(BJT),其具有高达 1.5W 的功率能力,能够承受高达 300V 的电压和最大 500mA 的集电极电流。这一系列高规格使其在高电压、高电流的应用环境中有着极佳的表现,适用于各类电源管理、放大和开关电路。
结构与封装
该产品采用 SOT-223 封装形式,便于表面贴装(SMT),这使得在现代电子设备中能够实现高度集成和小型化。具体封装尺寸为 TO-261-4 或 TO-261AA,这种小巧的设计支持了更高密度的电路布局,彻底改变了传统元器件的安装方式,便于实现高效率的制造流程。
电气特性
PZTA92T1G 的工作特性非常出色。其最大集电极截止电流(ICBO)为 250nA,意味着该器件在理想状态下几乎不会漏电,可以有效降低整个电路的功耗。同时,在不同的集电极电流(Ic)和集电极-发射极电压(Vce)条件下,其直流电流增益(hFE)最小可达 40,保证了在不同负载条件下的良好稳定性。
在饱和状态下,该晶体管的 Vce 饱和压降最大值为 500mV(在 2mA 和 20mA 下测量),这使得它在开关应用中表现得极为高效。当频率跃迁达到 50MHz 时,PZTA92T1G 依然能够保持相对稳定的性能,这对于高频率开关电路和放大器设计至关重要。
温度限制与稳定性
PZTA92T1G 的工作温度范围为 150°C,展现了其在恶劣环境条件下的高稳定性。这样的高工作温度范围意味着用户可以在很多工业和汽车应用中放心地使用该器件,从而提高了设备的整体可靠性和工作寿命。
应用领域
由于 PZTA92T1G 出色的电气参数和先进的制造工艺,它广泛应用于消费电子、通讯设备以及自动化控制等多个领域。具体应用包括但不限于:
在现代电子产品中,集成电路的效率和体积是设计师必须考虑的关键因素。PZTA92T1G 不仅为设计师提供了多元化的应用选择,同时高效的能量传递和管理功能也为产品的性能提升提供了重要保障。
总结
总之,PZTA92T1G 是一款高性能的 PNP 晶体管,以其完备的电气特性和可靠的构建质量,在当前电子元器件市场中占有一席之地。无论是在高频应用,还是高电流及高电压的环境下,该产品都显示出了极高的适用性和灵活性,能够满足现代电子设计日益增长的多样化需求。选择 PZTA92T1G,将为您的电子项目带来优越的性能和使用体验。