晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 2A,1V |
功率 - 最大值 | 1.3W | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
供应商器件封装 | TO-126-3 |
KSD1691YSTU是一款高性能的NPN型晶体管,由安森美(ON Semiconductor)制造,专为需要高电流及高电压的电子电路设计而成。该产品在功率放大、开关应用以及驱动电路中广泛应用,具有出色的电气性能和热稳定性,非常适合工业、消费电子和汽车等多种应用场景。
KSD1691YSTU的主要电气参数如下:
KSD1691YSTU采用TO-126-3封装,具有良好的热性能和电气隔离性,增加了元器件的耐用性。其通孔式的安装方式简单易行,能够兼容各种PCB设计,便于在各种电路板中集成。
KSD1691YSTU的设计使其在高输入电流和较高的集电极电压下依然保持较低的饱和压降,这对于高效能的开关电路尤为重要。300mV的饱和压降使其在切换状态时能有效降低功耗,提升整体电路的能效。此外,DC电流增益(hFE)高达160,确保了在不同工作条件下都能维持稳定的电流增益特性,加快了响应速度。
KSD1691YSTU非常适合应用于:
由于其高温工作特性,该元器件也适用于汽车电子和工业控制等高温环境中,保证了长期稳定的性能。
总之,KSD1691YSTU是一款功能强大的NPN晶体管,以其优越的电气性能和广泛的应用适应性,成为设计工程师手中的理想选择。该器件不仅能够满足高电流和电压的应用需求,同时也具有良好的热稳定性,保证了其在多种工作环境下的可靠性。其通孔的设计和TO-126-3的封装形式,使得其在快速原型开发和量产中的应用变得方便而高效。
这一系列的特性使得KSD1691YSTU成为现代电子设计中不可或缺的组件之一,在满足高效能与高可靠性的同时,确保了电子设备的优异性能和耐用性。