IRLR2908TRPBF
IRLR2908TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 23A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1890pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 120W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRLR2908TRPBF手册
IRLR2908TRPBF概述
IRLR2908TRPBF 产品概述
IRLR2908TRPBF 是一种 N 通道 MOSFET，具有高性能和高可靠性的特点，广泛应用于各种电子电路中，包括开关电源、直流电机驱动、家用电器以及其他需要高效功率管理的领域。该器件由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）提供，具备一系列的优异规格，以满足不同的应用需求。
基本参数与特性
漏源电压 (Vdss): IRLR2908TRPBF 的漏源电压等级达到了 80V，这使得它适用于大多数中等电压的应用场景，能够承受一定的电压冲击。在开关电源和电动机控制电路中，经常会出现超过工频电压的瞬态，这一特性显得尤为重要。
连续漏极电流 (Id): 该 MOSFET 的额定连续漏极电流为 30A（Tc），在一定的条件下，可以输出高达 30A 的电流，确保电路的高效运行。这使得它非常适合用于电流要求较高的应用，如电动车辆的电源管理和重载工业驱动。
导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅极驱动电压下，IRLR2908TRPBF 的最大导通电阻为 28 毫欧（@ 23A），这一低阻抗特性使得其在开关操作时功耗更低、热量更少，这对于功率转换电路的效率提升至关重要。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的最大 Vgs(th) 为 2.5V（@ 250µA），这意味着 MOSFET 能够在较低的栅极驱动电压下快速开启，适应了现代电子电路对低功耗的需求。
输入电容 (Ciss): 在 25V 时，输入电容最大值为 1890pF。这一特性使得 MOSFET 在高频开关操作时，具有良好的表现，适合于高频转换应用。
栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 的驱动电压下，栅极电荷最大值为 33nC。这意味着器件在切换状态时所需的能量较小，从而提升开关频率并减少电路的功耗。
功率耗散 (Pd): IRLR2908TRPBF 的最大功率耗散能力为 120W（Tc），允许它在热管理得当的情况下长时间运行于高负载条件下。
工作温度范围: 工作温度范围从 -55°C 到 175°C，使得该 MOSFET 可以在极端环境下稳定工作，适用于航天、军事及工业等苛刻应用。
封装与安装类型
IRLR2908TRPBF 采用 D-Pak（TO-252-3）封装。这种表面贴装型的封装形式不仅方便自动化生产，还提供了极好的散热性能，能够有效降低器件在工作时产生的热量，提高其整体的可靠性及使用寿命。对于板级集成设计，D-Pak 封装能够节省空间，并提供良好的电气性能。
应用领域
由于其优越的电气性能和良好的热管理，IRLR2908TRPBF 在多个领域中得到了广泛应用，例如：
- 开关电源: 在AC/DC 转换器和 DC/DC 转换器中，用于高效的开关操作，降低转换损耗。
- 电动机驱动: 用于直流电机和步进电机的驱动电路，实现精确和高效的控制。
- 电池管理系统: 在电池充电和保护电路中提供快速开关能力，延长设备的使用寿命。
总结
总体而言，IRLR2908TRPBF 是一款性能卓越、应用广泛的 N 通道 MOSFET，凭借其高额定电流、高功率耗散能力和广泛的工作温度范围，成为现代电子设计中的理想选择。它兼具低导通电阻和低栅极电荷的特点，使其在高频和高效的应用中表现优异，是推动电力电子技术进步的重要组成部分。