NTR1P02T1G
NTR1P02T1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.5nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 165pF @ 5V |
| 基本产品编号 | NTR1P0 |
NTR1P02T1G手册
NTR1P02T1G概述
NTR1P02T1G 产品概述
一、概述
NTR1P02T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 P 通道 MOSFET 组件，通常用于各种电子电路的开关和放大应用。这款器件在设计上具有出色的性能参数，如导通电阻、漏极电流、驱动电压等，使其成为多种电子设计中不可或缺的元器件。
二、主要特性
器件状态: NTR1P02T1G 是一款有源元器件，适合需要高效开关和放大功能的电路应用。
FET 类型: 该元器件采用 P 通道 MOSFET 设计，适应正负电压应用场景，能够在负压环境中操作，提供了更好的设计灵活性。
电流能力: 本器件在 25°C 时的连续漏极电流 (Id) 为 1A，适合应用于负载电流较小的电路。
导通电阻: 使用 10V 的驱动电压，NTR1P02T1G 的最大导通电阻 (Rds(on)) 为 180 毫欧 @ 1.5A。这种低导通电阻特性意味着较小的功率损耗和较高的能效，适合需要高效率的电路设计。
关断电压特性: Vgs(th) 的最大值为 2.3V @ 250µA 表示在此栅极源极电压下，MOSFET 开始导通，充分满足高效开关需求。
工作温度范围: 器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，使其能够在极端环境条件下可靠工作，适合工业、汽车及军事应用。
功率耗散: NTR1P02T1G 的最大功率耗散为 400mW (Ta)，允许器件在一定功率下稳定工作而不会发生过热。
封装类型: NTR1P02T1G 采用 SOT-23-3 封装，具有小型化、高密度的特性，非常适合在空间要求严格的板级设计中使用。
栅极电荷和输入电容: 栅极电荷 (Qg) 的最大值为 2.5nC @ 5V，输入电容 (Ciss) 的最大值为 165pF @ 5V，这些参数使得器件在高频和快速开关应用中能够提供良好的性能。
三、应用领域
基于其优异的电气特性和宽广的工作环境温度，NTR1P02T1G 广泛应用于以下领域：
- 消费电子: 用于电源管理和开关电路，例如 DC-DC 转换器、系统供电开关等。
- 工业控制: 能在高温和高湿环境下稳定工作，适用于工业自动化控制系统。
- 汽车电子: 由于工作温度范围宽，可以应用于电动汽车、汽车照明和其他汽车电子系统。
- 军事与航空: 面对恶劣环境条件，NTR1P02T1G 的高可靠性使其适合于军事和航空航天领域。
- 通信设备: 在需要很低导通电阻和快速开关的基站射频放大器和信号调制解调器中得到了广泛应用。
四、总结
NTR1P02T1G 是一款性能优异的 P 通道 MOSFET，不仅在电气特性上十分出色，而且在不同应用场景中都表现出了良好的适应性。凭借 ON Semiconductor 的品质保证和广泛的应用领域，NTR1P02T1G 适合成为众多高效能电路设计的首选器件。在未来的电子行业发展中，其稳定性与可靠性将有助于推动新技术的实现和各种应用的升级，是设计师和工程师不可或缺的理想选择。