S29GL01GT11TFIV10 产品实物图片
S29GL01GT11TFIV10 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

S29GL01GT11TFIV10

商品编码: BM0209538739
品牌 : 
CYPRESS(赛普拉斯)
封装 : 
PG-TSOP-56
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
FLASH-NOR-存储器-IC-1Gb(128M-x-8)-并联-110ns-56-TSOP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
102.42
按整 :
托盘(1托盘有910个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥102.42
--
100+
¥93.11
--
13650+
产品参数
产品手册
产品概述

S29GL01GT11TFIV10参数

存储器类型非易失访问时间110ns
安装类型表面贴装型写周期时间 - 字,页60ns
电压 - 供电1.65V ~ 3.6V技术FLASH - NOR
存储器格式闪存存储容量1Gb(128M x 8)
存储器接口并联工作温度-40°C ~ 85°C(TA)

S29GL01GT11TFIV10手册

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无数据

S29GL01GT11TFIV10概述

产品概述:S29GL01GT11TFIV10

概述

S29GL01GT11TFIV10 是由赛普拉斯(Cypress)公司推出的一款高性能闪存存储器,该器件采用了闪存-NOR技术,具有1Gb(128M x 8)的存储容量,适合于多种嵌入式和消费类电子应用。其主要特点包括非易失性、快速访问时间、低功耗及宽工作温度范围,使其在要求高可靠性和稳定性的环境中表现优异。

主要特性

  1. 存储器类型: S29GL01GT11TFIV10 属于非易失性存储器(NVM),即使在断电情况下也能保持数据的完整性。这使得它非常适合需要长时间保存数据的应用,如固件存储、程序代码等。

  2. 访问时间: 此款存储器具备满足许多高速应用需求的访问时间,达到110ns。这样的快速响应能力非常适合于需要快速读取和写入数据的高性能系统。

  3. 写周期时间: 写周期时间为60ns,对于字和页的写入速度快速而高效,能够支持高频次的数据更新,满足现代应用对数据写入速度的苛刻要求。

  4. 供电电压: S29GL01GT11TFIV10 的供电电压范围为1.65V至3.6V,提供了极好的电压适应性,能够被广泛应用于低功耗设备,同时满足不同电子系统的供电要求。

  5. 技术与接口: 该芯片采用了FLASH-NOR技术,支持并联存储器接口,便于与其他元件进行灵活的组合与搭配,适合多种设计需求的多样性。

  6. 工作温度: 存储器的工作温度范围为-40°C至85°C(TA),确保在严苛的环境条件下仍然能够稳定工作,非常适合汽车电子、工业控制等领域。

  7. 封装形式: 该器件采用PG-TSOP-56表面贴装型封装,适合于高密度PCB设计,节省空间的同时提升了集成度。

应用场景

S29GL01GT11TFIV10 广泛应用于各种领域,特别是在需要非易失性、快速数据存取的场合。以下是一些主要的应用场景:

  1. 消费电子: 适用于各种消费类电子产品,例如数字相机、流媒体播放器、电视机等,能够存储操作系统、用户数据及配置文件。

  2. 汽车电子: 在汽车电子产品中使用,例如导航系统、车载信息娱乐系统及ECU(发动机控制单元),能够保证数据的可靠性与稳定性。

  3. 工业控制: 适合工业控制系统,包括PLC和HMI设备,能在高温、干扰和震动环境中持续提供可靠的数据存储解决方案。

  4. 网络设备: 也可用于网络设备,如路由器、交换机中,支撑固件的高速存储和更新。

总结

S29GL01GT11TFIV10 是一款高效、可靠的闪存存储器,凭借其低功耗、高速度和广泛的应用温度范围,使其适应于各种严苛环境下的需求。无论在汽车电子、消费产品还是工业控制领域,该存储器都是产品设计中值得信赖的选择。赛普拉斯作为全球领先的存储器方案提供商,S29GL01GT11TFIV10 为设计工程师提供了强大的支持,助力实现高效能的系统设计与应用。