NTR5103NT1G
NTR5103NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 260mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.5 欧姆 @ 240mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±30V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.81nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40pF @ 25V |
| 基本产品编号 | NTR510 |
NTR5103NT1G手册
NTR5103NT1G概述
NTR5103NT1G 产品概述
基本信息
NTR5103NT1G 是一款由知名半导体制造商 ON Semiconductor 生产的 N 通道 MOSFET（场效应管），其设计主要用于各种电子电路中的开关和放大应用。这款 MOSFET 特别适用于高效能和高可靠性的工作环境，其主要特点包括低导通电阻、宽工作温度范围和低栅极电荷等，极大地提升了其在不同行业中的应用灵活性。
关键参数
漏极电流（Id）: 在标准工作温度 25°C 下，NTR5103NT1G 的连续漏极电流达到 260mA，具备良好的电流承载能力。
导通电阻（Rds(on)）: 该 MOSFET 在 10V 的栅极电压下，最大导通电阻为 2.5 欧姆（当漏极电流为 240mA 时），这使得其在开关状态下具有较低的功耗，能够有效减少热损耗。
栅极驱动电压（Vgs）: NTR5103NT1G 的栅极驱动电压分为两个主要标准，分别为 4.5V 和 10V，这给设计工程师提供了更多的灵活性，以适应不同的电路设计需求。
漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 60V，适合于多种应用场景，包括中小功率的电源管理和开关电路。
功率耗散: 该 MOSFET 的最大功率耗散为 300mW，这确保其在高负载情况下也能保持稳定的性能。
温度范围: NTR5103NT1G 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，能够在极端环境下稳定运行，适用于航空航天、军事电子和汽车电子等严格要求的行业。
安装类型及封装: 采用 SOT-23-3 封装，表面贴装设计使其便于自动化生产和紧凑型电路板的设计。
应用场景
由于NTR5103NT1G的卓越性能，它广泛应用于如下领域：
- 电源管理: 适用于 DC-DC 转换器、线性稳压器的高效开关。
- 便携式设备: 可用于移动设备的电源开关和电池管理系统，提高能效。
- 汽车电子: 这种 MOSFET 可用于电动门锁、窗户控制，以及其他自动化功能。
- 工业控制: 适合于伺服驱动器、PLC 控制电路等，对环境稳定性要求高的场合。
设计考虑
在使用 NTR5103NT1G 进行设计时，工程师需要考虑以下几点：
- 散热管理: 尽管其功率耗散为 300mW，但在高负荷条件下依然需要适当的散热设计，以避免过热导致的性能下降。
- 响应时间: MOSFET 的开关速度虽然非常快，响应时间在高频应用中也很重要，需适当选择驱动电路以优化总效能。
- 兼容性: 由于栅极驱动电压有多个选择，需要确保与其他电路组件的兼容性，避免潜在的损坏。
结论
NTR5103NT1G 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、宽广的工作温度范围和高电压承受能力，能够满足多种电子应用对性能和稳定性的需求。作为一款设计精良的产品，它在现代电子产品设计中扮演着至关重要的角色，特别是那些对功率效率和热管理有严格要求的应用场景中。选择 NTR5103NT1G，您将能够提升产品的整体性能，确保其在长时间高负载使用中的可靠性和稳定性。