BSS131H6327 产品实物图片
BSS131H6327 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS131H6327

商品编码: BM0209247777
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.76
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.76
--
100+
¥1.41
--
750+
¥1.25
--
1500+
¥1.19
--
3000+
¥1.13
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS131H6327参数

功率(Pd)360mW反向传输电容(Crss@Vds)4.2pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.7Ω@10V,0.1A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)3.1nC@10V
漏源电压(Vdss)240V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)77pF@25V连续漏极电流(Id)110mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@56uA

BSS131H6327手册

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BSS131H6327概述

BSS131H6327 产品概述

一、基本信息

品牌: Infineon (英飞凌)
产品型号: BSS131H6327
封装形式: SOT-23-3

二、产品简介

BSS131H6327 是一款由英飞凌公司生产的 N 沟道场效应晶体管 (MOSFET),适合多种低功耗应用,如开关电源、信号放大器和通用电路设计。由于其出色的电气特性及小巧的封装设计,BSS131H6327 成为电子设计工程师在各种电子产品中的首选器件。

三、主要特点

  1. 低导通电阻: BSS131H6327 在加强态时表现出较低的导通电阻(R_DS(on)),这意味着它能在较低的电压下有效地传输电流,从而减少功耗,提升整体效率。

  2. 广泛的栅极电压范围: 此器件为增强型 N 沟道 MOSFET,能够支持从 0V 开始的全水平方向栅极电压应用,使其易于与多种逻辑电平兼容。

  3. 高可靠性: BSS131H6327 在极端使用条件下依然保持优良的性能,能够承受较高的工作温度,这使得该器件能够在恶劣环境中长期可靠工作。

  4. 小型化设计: SOT-23-3 封装的设计使 BSS131H6327 在PCB布局中占用空间小,更适应现代电子设备向小型化、高密度化发展的潮流。其轻便的特性同样适合便携式设备的设计需求。

  5. 良好的 Switching 性能: 该 MOSFET 具备出色的开关性能,能够迅速响应输入信号的变化,适合高频开关应用。

四、电气特性

  • V_DS: 60V (最大漏极-源极电压)
  • I_D: 1.2A (最大漏极电流)
  • R_DS(on): 0.5Ω(对V_GS=10V时)
  • 功耗: 最大功耗能力适合常规电路及信号调理使用。

五、应用领域

BSS131H6327 的设计使之广泛应用于多种电子系统和设备中,包括但不限于:

  1. 开关电源供电电路: 用于实现高效的电源开关和电流控制。
  2. 电机驱动: 适用于直流电机驱动电路,能够实现良好的开关性能。
  3. 低功耗消费电子: 在手机、平板和小型家电等领域,BSS131H6327 提供了一个理想的低功耗解决方案。
  4. 信号处理: 其快速的开关速度使得 BSS131H6327 适合用在射频信号的调制与解调信号中。
  5. LED 驱动: 通过搭配其他电路组件,MOSFET 可用于高效驱动 LED 照明系统。

六、结论

综上所述,BSS131H6327 是一款出色的 N 沟道 MOSFET,其拥有低导通电阻、高开关效率及较广的电压承受能力,非常适合于现代电子设计中对于高效、低功耗的需求。无论在消费电子、自动化设备还是电源管理方面,BSS131H6327 都展现出了强大的应用潜力和广泛的适用性,是设计工程师不容错过的优质选项。