功率(Pd) | 360mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 4.2pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.7Ω@10V,0.1A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.1nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 240V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 77pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 110mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@56uA |
品牌: Infineon (英飞凌)
产品型号: BSS131H6327
封装形式: SOT-23-3
BSS131H6327 是一款由英飞凌公司生产的 N 沟道场效应晶体管 (MOSFET),适合多种低功耗应用,如开关电源、信号放大器和通用电路设计。由于其出色的电气特性及小巧的封装设计,BSS131H6327 成为电子设计工程师在各种电子产品中的首选器件。
低导通电阻: BSS131H6327 在加强态时表现出较低的导通电阻(R_DS(on)),这意味着它能在较低的电压下有效地传输电流,从而减少功耗,提升整体效率。
广泛的栅极电压范围: 此器件为增强型 N 沟道 MOSFET,能够支持从 0V 开始的全水平方向栅极电压应用,使其易于与多种逻辑电平兼容。
高可靠性: BSS131H6327 在极端使用条件下依然保持优良的性能,能够承受较高的工作温度,这使得该器件能够在恶劣环境中长期可靠工作。
小型化设计: SOT-23-3 封装的设计使 BSS131H6327 在PCB布局中占用空间小,更适应现代电子设备向小型化、高密度化发展的潮流。其轻便的特性同样适合便携式设备的设计需求。
良好的 Switching 性能: 该 MOSFET 具备出色的开关性能,能够迅速响应输入信号的变化,适合高频开关应用。
BSS131H6327 的设计使之广泛应用于多种电子系统和设备中,包括但不限于:
综上所述,BSS131H6327 是一款出色的 N 沟道 MOSFET,其拥有低导通电阻、高开关效率及较广的电压承受能力,非常适合于现代电子设计中对于高效、低功耗的需求。无论在消费电子、自动化设备还是电源管理方面,BSS131H6327 都展现出了强大的应用潜力和广泛的适用性,是设计工程师不容错过的优质选项。