IRFPE50PBF 产品实物图片
IRFPE50PBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFPE50PBF

商品编码: BM0209242594
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
8.2g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 190W 800V 7.8A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
249(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
10.11
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥10.11
--
10+
¥8.43
--
500+
¥8.02
--
5000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFPE50PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)800V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 欧姆 @ 4.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)200nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3100pF @ 25V
功率耗散(最大值)190W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3

IRFPE50PBF手册

IRFPE50PBF概述

产品概述:IRFPE50PBF N沟道MOSFET

1. 概述

IRFPE50PBF 是威世(VISHAY)公司出品的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),具有卓越的电气性能和可靠性。该产品专为高电压、高电流应用而设计,适合在多种电子设备中使用,包括但不限于电源转换器、逆变器和电机驱动系统。IRFPE50PBF 在额定工作温度范围广、功耗高效以及封装设计上也兼具耐用性,使其成为电力电子领域中广泛应用的理想选择。

2. 主要参数

  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
  • 漏源电压(Vdss):800V,适合高电压应用
  • 连续漏极电流 (Id):7.8A(在 Tc 下)
  • 最大导通电阻 (Rds On):1.2 欧姆(在 10V、4.7A 条件下)
  • 驱动电压:10V,以获得最佳性能
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值 4V(在 250µA 条件下)
  • 栅极电荷 (Qg):200nC(在 10V 条件下,影响开关速度和能效)
  • 最大 Vgs:±20V,确保器件在各种栅极驱动条件下的安全性
  • 输入电容 (Ciss):3100pF(在 25V 条件下,提供有效的开关性能)
  • 最大功率耗散:190W(在 Tc 下,确保设备在高负载时的稳定性)
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ),适合多种严苛环境
  • 封装类型:通孔封装 TO-247-3,便于安装与散热

3. 应用领域

IRFPE50PBF 的高电压和电流特性使其适合多种应用,包括:

  • 电源管理:在开关电源和电源适配器中作为功率开关,能够处理高压输入并输出稳定的电源。
  • 电机控制:在电动机驱动电路中,作为驱动器件,提供平滑的电流调节以实现精确的速度和扭矩控制。
  • 逆变器:在可再生能源系统如太阳能和风能逆变器中,转换直流电源为交流电源达成高效能转换。
  • 加热器和焊接设备:在电力加热和熔焊设备中,IRFPE50PBF 可用于控制高电流以实现热能的快速生成。

4. 性能优势

IRFPE50PBF 具有以下性能优势:

  • 高可靠性:其工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其在极端环境下也能正常工作,确保长期稳定的性能。
  • 高效率:较小的 Rds On 值在导通时降低了功耗,从而提升了整体系统效率。
  • 优异的开关特性:较低的栅极电荷和输入电容使得其在高频应用中表现出色,加快了开关速度,减少了开关损耗。
  • 强大的热管理能力:可以处理高达 190W 的功率耗散,确保在高负载条件下的热稳定性。

5. 结论

IRFPE50PBF 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET,专为高电压和高电流的应用而设计,提供出色的性能和可靠性。凭借其广泛的工作温度范围,低导通电阻和高功率耗散能力,无论是在电源管理、电机控制还是逆变器等领域,它都能够提供卓越的解决方案。选择 IRFPE50PBF,您将获得一个值得信赖的电子元件,为您的项目提供长久稳定的支持。