FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.2 欧姆 @ 4.7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 200nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3100pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 190W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
1. 概述
IRFPE50PBF 是威世(VISHAY)公司出品的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),具有卓越的电气性能和可靠性。该产品专为高电压、高电流应用而设计,适合在多种电子设备中使用,包括但不限于电源转换器、逆变器和电机驱动系统。IRFPE50PBF 在额定工作温度范围广、功耗高效以及封装设计上也兼具耐用性,使其成为电力电子领域中广泛应用的理想选择。
2. 主要参数
3. 应用领域
IRFPE50PBF 的高电压和电流特性使其适合多种应用,包括:
4. 性能优势
IRFPE50PBF 具有以下性能优势:
5. 结论
IRFPE50PBF 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET,专为高电压和高电流的应用而设计,提供出色的性能和可靠性。凭借其广泛的工作温度范围,低导通电阻和高功率耗散能力,无论是在电源管理、电机控制还是逆变器等领域,它都能够提供卓越的解决方案。选择 IRFPE50PBF,您将获得一个值得信赖的电子元件,为您的项目提供长久稳定的支持。