BSC070N10NS3 G 产品实物图片
BSC070N10NS3 G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSC070N10NS3 G

商品编码: BM0009250370
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.58
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.58
--
100+
¥3.81
--
1250+
¥3.53
--
2500+
¥3.36
--
5000+
¥3.2
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC070N10NS3 G参数

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BSC070N10NS3 G手册

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BSC070N10NS3 G概述

BSC070N10NS3 G 产品概述

概述

BSC070N10NS3 G 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能N-channel MOSFET,具有优异的电气特性和热管理性能。该MOSFET的额定电压为100V,额定电流高达90A,广泛应用于各种电源管理和开关应用中。其采用先进的OptiMOS™ 3技术,旨在提高效率和增加系统可靠性,特别适合高频开关电源(SMPS)、电动汽车、工业自动化及其他需要高效率和高电流的应用场合。

主要特性

  1. 高电压和电流能力:BSC070N10NS3 G能够支持高达100V的工作电压和90A的持续工作电流,使其适合于各种高功率密度的应用。

  2. 低导通阻抗:该MOSFET在Vgs = 10V时具有非常低的Rds(on)值,这意味着在导通状态下的功率损耗极小,能够显著提高能效。有利于降低系统的整体散热,从而提高系统的可靠性和寿命。

  3. 优良的开关特性:BSC070N10NS3 G具有出色的开关特性,特别是在高频开关应用中表现优异。这种特性使得它在电源转换器和逆变器等应用中能够以更高的效率工作。

  4. 优化的热管理性能:MOSFET的封装设计为PG-TDSON-8,优化了散热性能,支持良好的热传导,降低了设备的工作温度,延长了器件的使用寿命。

  5. 高单脉冲耐压:具有良好的单脉冲耐压特性,能够在瞬态情况下提供额外的保护,避免设备损坏。

应用领域

BSC070N10NS3 G广泛应用于多种要求苛刻的领域,具体包括:

  1. 开关电源:因其低导通电阻与高开关速度,该MOSFET非常适合用作开关电源中的主开关器件,能够有效提高电源转换的效率。

  2. 电动汽车:在电动汽车的驱动系统中,该MOSFET能够用于电机驱动控制,如逆变器和DC-DC转换器,从而实现高效的电源管理。

  3. 电池管理系统:由于其优良的导通性能和高效率,该设备适用于电池管理系统的开关控制,确保电池的安全和有效利用。

  4. 工业自动化:可在工业自动化的电机控制和动力管理系统中应用,以实现高效的能源转换。

  5. LED驱动电源:该MOSFET在LED驱动电源中也表现出色,可以确保稳定的输出电流,从而提升LED的使用寿命和光效。

结论

BSC070N10NS3 G 是一款结合高性能与高可靠性的N-channel MOSFET,凭借其100V的高电压能力、90A的高电流能力以及低导通阻抗,成为电源管理、工业自动化和电动汽车等领域的理想选择。用户在选择此款MOSFET时,可以期待其在高频开关应用中的出色表现和高效率,有助于推动现代电力电子产品的进一步发展。在各种应用场景下,该器件都能有效降低功耗,提高系统的热管理能力,最终实现系统的整体优化与能源效率提升。