SZMMBZ27VALT1G
SZMMBZ27VALT1G参数
| 类型 | 齐纳 | 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | 1 | 电压 - 反向断态（典型值） | 22V |
| 电压 - 击穿（最小值） | 25.65V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 40V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 1A | 功率 - 峰值脉冲 | 40W |
| 电源线路保护 | 无 | 应用 | 汽车级 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
SZMMBZ27VALT1G手册
SZMMBZ27VALT1G概述
SZMMBZ27VALT1G 产品概述
产品简介
SZMMBZ27VALT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款稳压二极管，符合汽车级应用需求。该器件采用 SOT-23-3（TO-236）封装设计，拥有出色的高温性能和较宽的工作温度范围，适用于各种电子设备和系统中提供过电压保护和稳压功能。
主要特性
高反向击穿电压：该稳压二极管的典型反向击穿电压为 22V，最小值为 25.65V。这使得其在 22V 的应用中表现优秀，可以有效保护后续电路免受过压影响。
电压箝位：在不同的峰值脉冲（Ipp）条件下，其最大箝位电压可达到 40V。这种能力使得 SZMMBZ27VALT1G 能够在瞬态电压冲击的情况下，快速将过高的电压限制在安全的范围内，确保下游电路的安全和稳定。
峰值脉冲电流：器件支持最大 1A 的峰值脉冲电流（10/1000µs），可处理瞬时电流冲击，为电路提供有效的瞬态保护。
高功率处理能力：产品峰值脉冲功率高达 40W，使其在面对高功率瞬态事件时，依然能保持良好的性能。
广泛的工作温度范围：该稳压二极管的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，确保其在极端环境条件下的可靠性，满足各种苛刻的应用需求。
表面贴装型封装：采用 SOT-23-3 封装，有效节省了电路板空间，提高了设计的灵活性，适合于现代紧凑型电子设计。
应用领域
SZMMBZ27VALT1G 主要应用于汽车电子、电源管理、电池保护等领域。在汽车工业中，它通常用于电源线路保护，保障汽车电子系统在电压波动和瞬态过电压条件下的安全性。此外，也可用于消费电子、工业控制设备、以及通信设备等需要电压稳压和瞬态抑制的场合。
性能优势
- 耐受性强：该稳压二极管具有出色的电压耐受能力和温度稳定性，能长时间在恶劣工作环境中维持优良的性能。
- 提高设计效率：由于其紧凑的封装设计，能够帮助电子设计师在有限空间内集成更多功能，提高设计效率。
- 成本效益：作为一种高性能的稳压二极管，SZMMBZ27VALT1G 提供了良好的性价比，对成本和性能有合理的平衡，是众多应用的理想选择。
总结
SZMMBZ27VALT1G 稳压二极管以其高反向击穿电压、出色的瞬态电压抑制能力以及广泛的工作温度范围，成为汽车电子及其他需要稳压和过压保护的应用中的优秀选择。通过其可靠的性能和紧凑的设计，它能够有效保障电路的安全，提升整体系统的耐用性和稳定性，是当今电子设计中不可或缺的重要元件之一。