SZMMSZ5257BT1G
SZMMSZ5257BT1G参数
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 33V | 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大值 | 500mW | 阻抗（最大值）(Zzt) | 58 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 25V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOD-123 | 供应商器件封装 | SOD-123 |
SZMMSZ5257BT1G手册
SZMMSZ5257BT1G概述
SZMMSZ5257BT1G 产品概述
概述
SZMMSZ5257BT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能稳压二极管，广泛应用于各种电子电路中，以维持稳定的电压输出。该器件的标称齐纳电压为33V，具有良好的性能和可靠的稳定性，特别适合需要过压保护和电压参考的应用场景。
主要参数
齐纳电压: SZMMSZ5257BT1G 的标称齐纳电压为33V，允许设备在工作正常的电压范围内保持稳定。当输入电压超过齐纳电压时，器件便会进入导通状态，从而保护后续电路不受到高电压的影响。
容差: 容差为±5%，这意味着器件的实际工作电压在31.35V到34.65V之间，这确保了其在实际应用中的宽容性和灵活性。
功率: 最大功率为500mW，这使得SZMMSZ5257BT1G 能够承受一定程度的功率损耗而不发生损坏。因此，该器件适用于多种财务场合，包括电压调节和去耦应用。
阻抗: 最大串联阻抗（Zzt）为58Ω，这一特性在器件工作时，对高频信号的处理有显著影响，可以有效减少信号失真并提高电路的稳定性。
反向泄漏电流: 在25V时，反向泄漏电流为100nA。较低的反向泄漏电流特性意味着在正常工作条件下，不会有显著的电流浪费，延长了器件的寿命并提升了系统的整体效率。
正向压降: 在10mA的正向电流条件下，正向压降为900mV。这一参数对于设计电路以确保合适的偏置和流过二极管的电流至关重要。
工作温度: 工作温度范围为-55°C至150°C，广泛适用于不同环境和气候条件，保证可靠性。
安装类型和封装: 该器件采用表面贴装型(SMD)设计，封装为SOD-123。这种封装小巧且便于自动化贴片，对现代电路设计中面积和效率要求较高的应用非常友好。
应用领域
SZMMSZ5257BT1G 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源保护：作为过压保护的关键组件，防止电源过电压对敏感设备的损坏。
- 电压参考：在精密电子产品中用作稳压参考电压源，以保证其性能的一致性和稳定性。
- 信号调节：在射频和音频等信号处理中，平衡信号并消除高频噪声的影响。
- 电池管理：在电池充电和管理系统中，防止充电电压超出安全范围，确保电池安全运行。
结论
SZMMSZ5257BT1G 是一款极具优势的稳压二极管，以其高可靠性和多功能应用而受到广泛关注。其小巧的SOD-123封装、优异的电气特性以及宽泛的工作温度范围，使其成为安全、稳定和高效的电压保护、调节和参考的理想选择。无论是消费电子、工业设备还是通讯系统，该器件均能为设备稳定运行提供强有力的支持。